[发明专利]用于穿过金属封装形成隔离的导电触点的工艺无效
申请号: | 200880016591.4 | 申请日: | 2008-05-14 |
公开(公告)号: | CN101681818A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 迈克尔·纳什内尔;杰弗里·豪尔顿 | 申请(专利权)人: | ESI电子科技工业公司 |
主分类号: | H01L21/22 | 分类号: | H01L21/22 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孟 锐 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 穿过 金属 封装 形成 隔离 导电 触点 工艺 | ||
1.一种在金属性衬底中形成电隔离触点的方法,其包含:
在所述金属性衬底中形成通孔,其中所述通孔包括在所述金属性衬底的顶部表面 的第一开口、在所述金属性衬底的相对的底部表面中的第二开口和至少一个在所述第 一开口和所述第二开口之间延伸的连续侧壁;
在所述通孔的所述至少一个侧壁上形成电介质衬套,同时保留至少一部分所述通 孔;及
在形成所述电介质衬套之后用导电材料实质性填充所述顶部表面和所述底部表 面之间的所述通孔。
2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包含:
在形成所述电介质衬套之前通过蚀刻工艺清洁所述通孔的所述至少一个侧壁。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法,其中通过阳极化或化学气相沉积 形成所述电介质衬套。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述衬底由铝构成且在形成所述通孔之后 阳极化所述铝以形成所述电介质衬套。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述衬底包括形成于其中的凹坑,所述凹 坑包括至少一个侧壁及基底且所述通孔形成于所述凹坑的所述基底中。
6.根据权利要求5所述的方法,其中用所述导电材料填充所述凹坑。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述导电材料是导电油墨或银纳米微粒液 体导电环氧树脂。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述通孔第一开口具有90到200微米之间 的第一直径,且所述第二开口具有20到50微米之间的第二直径。
9.根据权利要求1所述的方法,其中通过激光钻孔形成所述通孔。
10.根据权利要求1所述的方法,其中所述通孔是圆锥形。
11.根据权利要求1所述的方法,其中所述通孔在所述第一开口和所述第二开口 之间被完全填充。
12.一种具有多个电隔离的触点的外壳组件,所述电隔离的触点中的每一者使用 根据权利要求1所述的方法形成。
13.根据权利要求12所述的外壳组件,其包含使用所述多个隔离的电触点的天 线的一部分。
14.根据权利要求12所述的外壳组件,其中所述多个电隔离的触点中的至少一 者作为接通/关断开关操作。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造