[发明专利]用于可动接点部件的银包覆材料及其制造方法无效
申请号: | 200880016705.5 | 申请日: | 2008-03-25 |
公开(公告)号: | CN101681729A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 山口优;小林良聪 | 申请(专利权)人: | 古河电气工业株式会社 |
主分类号: | H01H1/023 | 分类号: | H01H1/023;C25D5/12;C25D7/00;H01H1/04;H01R13/03;H01R43/16 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张平元 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 接点 部件 银包 材料 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种用于可动接点部件的银包覆材料及其制造方法。
背景技术
以往,手机和便携终端设备中使用的按压开关使用的是磷青铜或铍铜,近年来,则使用了在科森系铜合金等铜合金、或无锈钢等铁系合金等弹性优异的导电性基体材料上实施镀银而得到的材料。
以往,使用的是在导电性基体材料上形成镍打底层后,再直接形成银表层镀层的材料。另一方面,因手机的e-mail的普及,反复开关的动作变多。已知因在短时间内反复开关而使开关部发热,透过银镀层的氧使镍氧化,从而容易使银产生剥离。
为了防止该现象,提出了使用在银层与镍层的中间设置有铜中间层的例如银/铜/镍/不锈钢材料(参照专利文献1~3)。所述铜中间层被认为具有捕捉透过银镀层的氧,从而防止打底层的镍氧化的效果。
专利文献1:日本专利3889718号公报
专利文献2:日本专利3772240号公报
专利文献3:日本特开2005-133169号公报
发明内容
但是,就上述各专利文献中所记载的电接点材料而言,如果中间层过厚,则形成中间层的铜扩散至最表层,该扩散的铜氧化而使接触电阻升高,另外,当中间层的厚度过薄时,通过中间层捕捉氧将变得不充分,可以预测到因反复的开关动作等而导致材料表面的银层剥离。即,不易将中间层的厚度设定为适当的厚度,并产生必须严格控制制造条件这样的新的课题。
即,本发明提供以下的方案:
(1)一种用于可动接点部件的银包覆材料,其中,在由铁或铁合金制成的导电性基体材料上,覆盖有厚度0.005~0.5μm的由镍或镍合金形成的打底层,在该打底层上覆盖有厚度0.01~0.5μm的由钯、钯合金或银锡合金形成的中间层,在该中间层上形成有由银或银合金所形成的最表层。
(2)如上述第(1)项所述的用于的可动接点部件的银包覆材料,其中,所述中间层的钯合金为金钯、银钯、锡钯、镍钯或铟钯合金。
(3)一种用于可动接点部件的银包覆材料,其中,在由铁或铁合金制成的导电性基体材料上覆盖有厚度0.01~0.5μm的由钯、钯合金或银锡合金形成的中间层,在该中间层上形成有由银或银合金所形成的最表层。
(4)一种制造上述第(1)项或第(2)项所述的用于可动接点部件的银包覆材料的方法,该方法包括:将镍或镍合金覆盖在导电性基体材料上并进行活化处理后,覆盖中间层,然后再覆盖银或银合金。
(5)一种制造上述第(3)项所述的用于可动接点部件的银包覆材料的方法,该方法包括:对导电性基体材料进行活化处理后,覆盖中间层,然后再进行银或银合金覆盖。
本发明的上述以及其它特征与优点,可适当参照附图,由下面的描述而更加明确。
附图说明
图1是示出本发明的一个实施方式的纵向剖面图。
图2是示出本发明的另一个实施方式的纵向剖面图。
具体实施方式
以下,根据附图说明本发明的实施方式。图1是示出本发明的可动接点部件用银包覆材料的一个实施方式的剖面图。在图1中,1是由铁或铁合金形成的导电性基体材料,2是由Ni或Ni合金形成的打底层,3是由Pd、Pd合金或Ag-Sn合金形成的中间层,4是由银或银合金形成的最表层。
导电性基体材料1是具有足以用作可动接点部件用途的导电性、弹性特性、耐久性等的材料,在本发明中,导电性基体材料1由铁或铁合金制成。
作为适合用作基体材料1的铁合金,可列举不锈铜(SUS)、42合金等。
基体材料1的厚度优选为0.03~0.3μm,更优选为0.05~0.1μm。
在基体材料1的表面上覆盖有厚度0.005~0.5μm、优选为0.01~0.5μm、更优选为0.05~0.1μm的打底层,该打底层由镍(Ni)或Ni合金形成。打底层2的厚度的下限可以由基体材料1与中间层3的粘附性的观点来决定,而打底层2的厚度的上限则可以从通过压制加工等由包覆材料形成电接点材料时,防止加工性降低、以及在打底层2等产生裂纹的观点来决定。
作为打底层2所使用的Ni合金,优选使用Ni-P系、Ni-Sn系、Ni-Co系、Ni-Co-P系、Ni-Cu系、Ni-Cr系、Ni-Zn系、Ni-Fe系等合金。由于Ni和Ni合金的镀敷处理性良好,价格上也没有问题,且熔点也高,因此即使在高温环境下,其阻挡功能也很少衰减。
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