[发明专利]光线发射器件结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明广泛来说涉及一种光线发射器件结构并涉及一种用来形成光线发射器件结构的方法。

背景技术

一种有机/聚合物发光器件(OLED/PLED)典型为包括无机电极和官能有机/聚合物半导体各层的薄膜发射器件。典型的是将一叠有机官能层夹入上层电极和下层电极之间。当OLED/PLED器件被电偏压时，电子和空穴可以从各个电极注入该器件。电子-空穴对在该器件的发射区重组以发射光线。在OLED/PLED中所发射的光线典型为各向同性的。

一种金属阴极典型地用于将场致发光层(EL)中所发射的光线朝着透明阳极/衬底反射。具有这样构造的器件典型具有低对比率而且这样的器件的可见图像典型为不太清晰的。因此，发明人认识到了从发射器件反射更少的环境光线是例如高对比度OLED/PLED显示器想要的。

圆形极化器典型地用于加强OLED/PLED显示器中的对比率。然而，圆形极化器是昂贵的并且极化发射光线。进一步来说，附加的接合步骤是在显示器制造工艺中典型需要的以安装圆形极化器，因而承担对基于OLED的显示器的生产的额外成本。

除了使用圆形极化器以外，已经调查研究了采用低反射性阴极来减少环境反射从而取得低反射性OLED或PLED的可行性。在号码为6429451的美国专利中，Hung和Madathil论证了可以将六溴化钙(CaB₆)用作环境光线减少的阴极。六溴化钙随逸出功的降低而导电性越高而且基本上是黑色块状的。然而，虽然该CaB₆的替换电子注入层有低反射性，但是在沉积处理中获得有稳定光电属性的均匀的CaB₆膜在实践上是困难。

进一步来说，已经开发了各种多层黑色阴极结构以使有机/阴极接口处光反射最小。例如，在号码为6429451的美国专利中和由L.S.Hung和J.Madathil发表的13(2001)1787的Adv.Mater中，报告了有LiF/Al/ZnO/Al构成的多层黑色阴极结构的较少反射的OLED。为了形成这个多层黑色阴极，缺氧的氧化锌膜通过热蒸发而沉积。氧化锌薄膜用作光学吸收层以减少从该金属阴极反射的环境光。然而，一个优势是被蒸发的ZnO典型具有导致接触电阻增加并因此具有接通电压的低导电性。O.Renault、O.V.Salata、M.Etchells、P.J.Dobson和V.Christou发表的379(2000)195的Thin SolidFilms(固态薄膜)还论证了在多层阴极系统中使用高导电黑色炭膜。这个黑色阴极包括由镁制成的薄的电子注入器层、光学吸收和导电的碳层以及厚的铝层。这个多层黑色阴极与典型的Mg/Al阴极相比具有类似的电荷注入属性，却具有低得多的反射性。由Renault等人发表的结果显示光线反射从使用典型阴极器件的大约100％减少到多层阴极的大约60％。H.Aziz、Y.F.Liew、H.M.Grandin和Z.D.Popovic发表的83(2003)186的Appl.Phys.Lett.还提出了使用包括各个由有机材料和金属混合的导电吸光层的黑色阴极。然而，以上的黑色阴极只对小分子OLED来说本质上适用。

另外，基于使用OLED的低反射性阴极中的干涉相消层的概念已经开发了“黑色层”，这一概念如A.N.Krasnov发表Information Display(信息显示)第3期第18册(2002)18和Luxell技术提交的号码为6,411,019的美国专利中所报告的。以上技术被使用在ITO上沉积CrSiO以创建干涉层。然而，因该技术具有非常窄的工艺窗口，即干涉层厚度上5％的变动导致了反射系数中因数2的改变，这个技术具有非常有限的成功。

进一步来说，基于WO02/37568和WO02/37580，已经论证了使用体或表面漫射器可以使内部总反射减少而且还可以增强发射器件的亮度。另外，EP1383180A2和US20040012328A1报告了使用有栅格测试图样的氧化铟锡(ITO)层来改进OLED显示器的对比率。然而，这个技术典型涉及器件制造期间若干个临界的工艺步骤，因而使它在实践上难以执行。

因此，需要光线发射器件结构和用来形成光线发射器件结构的方法以设法处理以上问题中的至少一个。

发明内容

根据本发明一方面，提供有一种光线发射器件结构，该结构包括，透明衬底；在该透明衬底上形成的透明电极；在该透明电极上形成的一个或多个发光层；在该一个或多个发光层上形成的反射电极；以及在该透明衬底上形成的用来增强该器件光线对比度的纹理层。