[发明专利]制造辐射探测器的方法

权利要求书

1.一种制造包括光敏传感器组件(1，4)、闪烁器(6)的辐射探 测器的方法，闪烁器将辐射转换为光敏传感器组件能够感测的辐射， 闪烁器(6)通过粘合剂结合固定于传感器组件(1，4)，传感器组件 包括基底(4)和数个附加传感器(1)，每个传感器(1)具有两个相 对的面(11，12)，第一面(11)与基底结合且第二面(12)与闪烁器 (6)结合，其特征在于，下述操作是按如下顺序关联的：

传感器(1)通过其第二面(12)沉积于粘合剂膜(13)上；和

传感器(1)通过其第一面(11)与基底(4)结合；以及

所述闪烁器通过粘合剂膜附着；

并且，粘合剂膜(13)作为将传感器(1)沉积于粘合剂膜(13) 上及将两者结合时的基准平面。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将传感器(1)与基底 (4)结合的操作包括以下操作：

液态粘合剂(16)沉积于传感器(1)的第一面(11)上和将传感 器(1)间隔开且由粘合剂膜(13)密封的空隙(15)中；和

传感器(1)和基底(4)通过液态粘合剂(16)结合在一起。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在沉积液态粘合剂(16) 前，在传感器(1)的外围设置用于保持液态粘合剂(16)的环(20)。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将传感器(1)与基底 (4)结合的操作包括以下操作：

第二粘合剂膜(25)沉积于传感器的第一面(11)上；和

传感器(1)和基底(4)通过第二粘合剂膜(25)结合在一起。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，用液态粘合剂填充将 传感器(1)间隔开且由粘合剂膜(13)密封的空隙(15)。

6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，光敏传感器(1) 包括在无定形硅晶片上制造的矩阵形式的光电二极管或TFT类型的光 电晶体管。

7.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，传感器(1)利用 CMOS技术制造。

8.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，闪烁器(6)是基 于钆的氧硫化物。

9.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，闪烁器(6)是基 于碘化铯。

10.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，粘合剂膜(13) 和第二粘合剂膜(25)包括材料，所述材料选自包括聚乙烯、聚丙烯、 聚氨酯、聚酰胺、聚乙烯基丁缩醛和乙烯/乙烯基乙酸酯的组。