[发明专利]薄膜和使用该薄膜的半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜，其在半导体装置的制造过程中使用，该薄膜的特征在于：

所述薄膜是包含硅、锗和氧的薄膜。

2.如权利要求1所述的薄膜，其特征在于：

所述薄膜，除包含所述硅、锗和氧之外，还包含碳和氢中的至少一种。

3.如权利要求1所述的薄膜，其特征在于：

所述薄膜是将四甲基锗(TMGe)和二氧化碳作为基底气体，向该基底气体中添加甲硅烷(SiH₄)而形成的，

所述薄膜通过使所述甲硅烷的流量相对于四甲基锗和甲硅烷的合计流量为20％以上60％以下而形成。

4.如权利要求1所述的薄膜，其特征在于：

所述薄膜是将四甲基锗(TMGe)和二氧化碳作为基底气体，向该基底气体中添加甲硅烷(SiH₄)而形成的，

所述薄膜通过使所述甲硅烷的流量相对于四甲基锗和甲硅烷的合计流量为40％而形成。

5.如权利要求1所述的薄膜，其特征在于：

所述薄膜是将四甲基锗(TMGe)和二氧化碳作为基底气体，向该基底气体中添加甲硅烷(SiH₄)而形成的，

所述薄膜通过使所述甲硅烷的流量相对于四甲基锗和甲硅烷的合计流量为50％以上60％以下而形成。

6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

形成包含硅、锗和氧的薄膜的步骤；

对所述薄膜进行蚀刻的步骤；和

在进行所述蚀刻后，除去残留的所述薄膜的步骤。

7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述薄膜，除包含所述硅、锗和氧之外，还包含碳和氢中的至少一种。

8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

在具有活性区域和元件分离区域的半导体层的所述活性区域上形成栅极电极的步骤；

使用与所述半导体层、所述元件分离区域和所述栅极电极不同的材料，在所述栅极电极的侧面上形成由包含硅、锗和氧的薄膜构成的侧壁间隔层的步骤；

使用所述元件分离区域、所述栅极电极和所述侧壁间隔层作为掩模，向所述活性区域内导入杂质，在所述活性区域内形成一对源极和漏极区域的步骤；

在所述半导体层上、所述元件分离区域上、所述侧壁间隔层上和所述栅极电极上用金属膜进行覆盖的步骤；

使所述金属膜与所述半导体层以及所述栅极电极反应，使所述源极和漏极区域、以及所述栅极电极部分低电阻化的步骤；

使用难以蚀刻所述元件分离区域、所述栅极电极的低电阻化部分、所述源极和漏极区域的低电阻化部分、以及所述侧壁间隔层，且易于蚀刻所述金属膜的未反应部分的第一蚀刻剂，除去所述金属膜的未反应部分的步骤；和

使用难以蚀刻所述元件分离区域、所述栅极电极的低电阻化部分、所述源极和漏极区域的低电阻化部分，且易于蚀刻所述侧壁间隔层的第二蚀刻剂，除去所述侧壁间隔层的步骤。