[发明专利]半导体存储装置以及用于制造该半导体存储装置的方法

权利要求书

1.一种用于制造存储装置的方法，该方法包括以下步骤：

提供半导体基板(505)，该半导体基板包括：在该半导体基板(505) 中的第一阱区(532)和在该半导体基板(505)中的第二阱区(534)，其中， 该第一阱区(532)与该第二阱区(534)具有第一导电类型；

形成覆于该第一阱区(532)上的存取晶体管(510)的第一栅极结构 (562、566)以及覆于该第二阱区(534)上的晶闸管装置(520)的第二栅极 结构(568、574)；

共形地沉积绝缘材料层(569)覆于该半导体基板(505)的暴露部分 上；

提供感光材料层覆于该绝缘材料层(569)上方；

将该感光材料层(575)图案化以覆盖该绝缘材料层(569)的一部分并 暴露出该绝缘材料层(569)的其它暴露部分，该绝缘材料层的该一部分 覆于该第二阱区(534)的一部分以及该第二栅极结构(568、574)的一部 分；

以反应式离子蚀刻该绝缘材料层(569)的该暴露部分，以提供：邻 接该存取晶体管(510)的该第一栅极结构(562、566)的第一侧壁间隔物 (564)、邻接该第二栅极结构(568、574)的第二侧壁间隔物(572)以及覆 于该第二栅极结构(568、574)的一部分且邻接该第二栅极结构(568、574) 的侧壁的绝缘间隔物区块(570)；

在以反应式离子蚀刻的步骤之后，提供离子注入掩模(586、588) 覆于该第一栅极结构(562、566)、该第一侧壁间隔物(564)、该第二栅极 结构(568、574)、该第二侧壁间隔物(572)以及该绝缘间隔物区块(570)， 其中，该离子注入掩模(586、588)暴露出邻接该第一侧壁间隔物(564) 的部分的该第一阱区(532)以及暴露出邻接该绝缘间隔物区块(570)与该 第二侧壁间隔物(572)的部分的该第二阱区(534)；以及

将具有该第二导电类型的掺杂离子注入该第一阱区(532)与该第二 阱区(534)的该暴露部分中，以形成该第二导电类型的区域，其中，该 第二导电类型的区域包括：邻接其中一个该第一侧壁间隔物(564)的该 存取晶体管(510)的第二导电类型的漏极区域(542)、在该半导体基板 (505)中邻接另一个该第一侧壁间隔物(564)和该绝缘间隔物区块(570) 的第二导电类型的源极/基极区域(550)、以及在该半导体基板(505)中邻 接该第二侧壁间隔物(572)的该晶闸管装置(520)的第二导电类型的阴 极区域(558)，以及

在该第二导电类型的源极/基极区域(550)的暴露部分中形成该晶 闸管装置(520)的第一导电类型的阳极区域(552)，使得该第一导电类型 的阳极区域(552)直接耦接该存取晶体管(510)的第二导电类型的源极区 域(550)。

2.如权利要求1所述的方法，其中，形成第一导电类型的阳极区 域(552)的步骤包括以下步骤：

将具有该第二导电类型的掺杂离子注入该第一阱区(532)与该第二 阱区(534)的该暴露部分中以形成该第二导电类型的区域的步骤之后， 提供另一个离子注入掩模(584、585)暴露出该第二导电类型的源极/基 极区域(550)的一部分(552)；以及

将具有该第一导电类型的掺杂离子(597)注入该第二导电类型的源 极/基极区域(550)的该暴露部分中用以：

在该第二导电类型的源极/基极区域(550)的该暴露部分中形成第 一导电类型的阳极区域(552)；以及

藉由将该第二导电类型的源极/基极区域(550)分为第二导电类型 的源极区域(550)以及第二导电类型的基极区域(554)而定义该第二导电 类型的源极区域(550)和该第二导电类型的基极区域(554)，其中，该第 一导电类型的阳极区域(552)邻接该第二导电类型的源极区域(550)以及 该第二导电类型的基极区域(554)。