[发明专利]片式电阻器有效
| 申请号： | 200880017675.X | 申请日： | 2008-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101681702A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 松井贵弘;永田久和;唐泽诚治 | 申请（专利权）人： | 兴亚株式会社 |
| 主分类号： | H01C1/142 | 分类号： | H01C1/142;H01C7/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭 放 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻器 | ||
【权利要求书】：
1.一种片式电阻器，其特征在于，具备：
分别配置在陶瓷基板的上下表面的一对厚膜上表面电极和一对厚膜下表面电极；
跨越上述一对厚膜上表面电极间而配置的厚膜电阻体；
覆盖上述厚膜电阻体的保护膜；
配置在上述陶瓷基板的端面的连接上述厚膜上表面电极与上述厚膜下表面电极的端面电极；以及
覆盖未被上述保护膜覆盖的上述厚膜上表面电极的部分、上述端面电极及上述厚膜下表面电极的镀层，
其中，
上述保护膜与上述镀层的边界部分位于上述厚膜上表面电极之上，
在上述厚膜上表面电极所包含的金属材料中，Pd为15～25wt％，Au为1～20wt％，剩余部分是Ag；
仅在与上述厚膜电阻体直接连接的上述厚膜上表面电极中使用金属材料以Ag为主成分、进而包含Pd和Au的电极材料。
2.一种电阻器的制造方法，其特征在于，
在陶瓷基板上，使用由Pd为15～25wt％、Au为1～20wt％、剩余部分是Ag的金属成分构成的电极材料膏来形成厚膜上表面电极；
使用不包含Au的Ag类的电极材料膏来形成厚膜下表面电极；
使用氧化钌类膏，形成跨越上述厚膜上表面电极的厚膜电阻体；
形成覆盖上述厚膜电阻体的保护膜；
以与上述厚膜上表面电极和上述厚膜下表面电极连接的方式形成端面电极，上述端面电极是通过溅射形成的Ni类薄膜；
形成覆盖未被上述保护膜覆盖的上述厚膜上表面电极的部分、上述端面电极以及上述厚膜下表面电极的镀层。
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