[发明专利]片式电阻器

说明书

技术领域

本发明涉及厚膜四方形片式(chip)电阻器，特别涉及提高了针对硫化气体的耐受性的电极的结构。

背景技术

在厚膜四方形片式电阻器中，如图3所示，具备：分别配置在陶瓷基板11的上下表面的一对厚膜上表面电极12、13和一对厚膜下表面电极14、15；跨一对厚膜上表面电极12、13间而配置的厚膜电阻体16；覆盖电阻体16的保护膜17；配置在陶瓷基板11的端面并将厚膜上表面电极12、13与厚膜下表面电极14、15连接起来的端面电极18、19；以及覆盖未被保护膜17覆盖的厚膜上表面电极12、13的部分、端面电极18、19、及厚膜下表面电极14、15的镀层20、21。

作为厚膜上表面电极12、13或厚膜下表面电极14、15的材料，一般使用Ag类材料或Ag-Pd类材料。但是，当在包含硫化气体的气氛中使用这样的厚膜片式电阻器的情况下，尤其存在上表面电极12、13的Ag类材料形成硫化银而造成导通不良、断线的情况这样的课题。针对这样的课题，例如以下的公报等提出了对应的方案。

在日本特开平7-169601号公报中，提出了以与第一上表面电极层2的一部分重叠的方式，设置利用厚膜Ag膏而形成的第二上表面电极层5的结构(参照摘要)。该文献记载了如下内容：因为第二上表面电极层5以与保护层6的上表面的一部分重叠的方式形成，所以第一上表面电极层2不会被硫化气体侵蚀，不易引起断线。

在日本特开平7-176402号公报中，提出了如下结构，即设置有：氧化铝基板1上的由银类厚膜构成的第一上表面电极层3；完全覆盖第一上表面电极层3的由贵金属类薄膜构成的第二上表面电极层4；以及与第二上表面电极层4的一部分重叠的钌类的电阻层2。此处，记载了如下内容：贵金属类薄膜使用金-树脂酸盐(resinate)(0010栏)，由此防止第一上表面电极层3的硫化。

在日本特开2002-064003号公报中，提出了如下结构：在保护层40与镀敷层26相接的部分的下层、且上表面电极层22的上表面，形成上表面电极保护层23，该上表面电极保护层23由耐硫化特性优良的材质、例如含有大于等于5.0％的钯的银类厚膜形成。根据该文献的记载，由此，即使在上表面电极层22中使用了没有耐硫化特性的材质，上表面电极层22也不会被硫化，所以可以消除断线等引起片式电阻器的故障的危险性(0007栏)。

但是，在上述公报记载的方法中，都形成用于保护Ag类的电极免于硫化的电极保护层(在日本特开平7-169601号公报中是第二上表面电极层5，在日本特开平7-176402号公报中是第二上表面电极层4，在日本特开2002-064003号公报中是上表面电极保护层23)。因此，存在由于上表面电极的层数增加，而使制造工序增加、制造成本提高这样的课题。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种片式电阻器，这种片式电阻器不会增加制造工序，且对硫化气体的耐受性高。

本发明提供一种片式电阻器，具备：分别配置在陶瓷基板的上下表面的一对厚膜上表面电极、和一对厚膜下表面电极；跨越上述一对厚膜上表面电极间而配置的厚膜电阻体；覆盖上述厚膜电阻体的保护膜；配置在上述陶瓷基板的端面的连接上述厚膜上表面电极与上述厚膜下表面电极的端面电极；以及覆盖未被上述保护膜覆盖的上述厚膜上表面电极的部分、上述端面电极、及上述厚膜下表面电极的镀层，其特征在于，包含在上述厚膜上表面电极中的金属材料以Ag为主成分，进而包含Pd和Au。

根据本发明的片式电阻器，包含在厚膜上表面电极中的金属材料以Ag为主成分，并包含Pd和Au，从而可以提高针对硫化气体的耐受性，可以极其良好地抑制以Ag类材料为主体的厚膜上表面电极的硫化的行进。即，根据本发明的厚膜上表面电极的结构，在硫化试验中，即使暴露在硫化气氛中，在厚膜上表面电极中也不会产生变色，不会感觉到外观上的变化。因此，仅通过变更电极膏材料的组成，不增加工序，就能提供一种针对硫化气体具有高耐受性的片式电阻器。

另外，在焙烧厚膜电阻体时，如果是通常的Ag类或Ag-Pd类电极，则Ag成分向厚膜电阻体的部分扩散，而成为电阻值变化的原因，但如果是包含Au和Pd的Ag类电极，则Ag向厚膜电阻体的扩散被抑制，可以抑制电阻值变化。因此，仅通过变更电极膏材料的组成，就可以提供一种具有高稳定性的电阻值的片式电阻器。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式的片式电阻器的剖面图。

图2A至图2G是示出上述片式电阻器的制造工序的剖面图。

图3是以往的片式电阻器的剖面图。

具体实施方式