[发明专利]在半导体装置中通过使用在双应力衬层上方的额外层而获得的N沟道晶体管的增进的晶体管效能

权利要求书

1.一种方法，包括：

于第一晶体管(220B)上方形成第一应力诱发层(230)，该第一晶体管形成于基板(201)上方，该第一应力诱发层(230)产生第一类型应力；

于第二晶体管(220A)上方形成第二应力诱发层(240)，该第二诱发应力层(240)产生不同于该第一类型应力的第二类型应力；

于该第一及第二晶体管(220B，220A)上方形成第三介电层(260)，该第三介电层(260)于该第二晶体管(220A)上方所具有的内部应力等级小于该第一及第二应力诱发层(240，230)的内部应力等级；

于该第一及第二晶体管(220B，220A)上方形成层间介电材料(250)；以及

通过使用该第一及第二应力诱发层(230，240)以及该第三介电层(260)作为蚀刻停止材料，形成连接至该第一及第二晶体管(220B，220A)的接触开口(251)。

2.一种方法，包括：

于第一晶体管(220B)上方形成第一介电层(230)，该第一介电层(230)于该第一晶体管(220B)的沟道区域(224)中诱发压缩应变，其中该第一晶体管包括P沟道晶体管；

于第二晶体管(220A)上方形成第二介电层(240)，该第二介电层(240)于该第二晶体管(220A)的沟道区域(224)中诱发拉伸应变，其中该第二晶体管包括N沟道晶体管；

于该第一晶体管(220B)及该第二晶体管(220A)上方形成第三介电层(260)，该第三介电层(260)所具有的内部应力等级小于该第一及第二介电层(230，240)的内部应力等级；以及

于该第三介电层(260)上方沉积层间介电材料(250)。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中，该第三介电层(260)的厚度约100nm或更薄。

4.如权利要求1或2所述的方法，其中，该第三介电层(260)于该第二晶体管(220A)上方的内部应力等级实质上与于该第一晶体管(220B)上方的该内部应力等级相等。

5.如权利要求1或2所述的方法，其中，形成该第三介电层(260)的步骤包括在该第一和第二晶体管(220B，220A)上方沉积该第三介电层(260)的材料，以及对该沉积材料的至少一部分进行处理以调整该内部应力等级。

6.如权利要求5所述的方法，其中，对该沉积材料的至少一部分进行处理包括选择性调整该第二晶体管(220A)上方的该内部应力等级，而不实质上调整该第一晶体管(220B)上方的该内部应力等级。

7.如权利要求5所述的方法，其中，对该沉积材料的至少一部分进行处理包括实施离子注入工艺。

8.如权利要求5所述的方法，其中，对该沉积材料的至少一部分进行处理包括实施热工艺及电浆工艺的至少其中一个。

9.如权利要求1或2所述的方法，其中，该第三介电层(260)的该内部应力等级实质上为中性。

10.一种半导体装置(200)，包括：

第一介电层(230)，形成于第一晶体管(220B)上方，该第一介电层(230)诱发第一类型应力；

第二介电层(240)，形成于第二晶体管(220A)上方，该第二介电层(240)诱发与该第一类型不同的第二类型应力；

第三介电层(260)，形成于该第一及第二介电层(230，240)上，该第三介电层(260)所具有的内部应力等级小于该第一及第二介电层(230，240)的内部应力等级；以及

层间介电材料(250)，形成于该第三介电层(260)上方，该层间介电材料(250)所具有的厚度大于该第一及第三介电层(230，260)的结合厚度。