[发明专利]催化氢化

权利要求书

1.氢化卤化硅或卤化锗的方法，其特征在于，在第一步骤中，在 添加H₂的情况下将路易斯酸碱对氢化，和在第二步骤中，将单体的、低 聚的或聚合的卤化硅或卤化锗利用包含H^-的路易斯酸碱对来氢化，且在 第三步骤中，在分离出卤化氢的情况下将含卤素的路易斯酸碱对再生。

2.根据权利要求1的氢化卤化硅或卤化锗的方法，其特征在于，使 用R₃E作为路易斯碱，其中E＝N、P或As，且R＝烷基、芳基、烷氧基、 芳氧基或卤素；且使用R′₃E′作为路易斯酸，其中E′＝B、Al或Ga，且R′ ＝烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基或卤素。

3.根据权利要求1或2的氢化卤化硅或卤化锗的方法，其特征在于， 利用氯或氟来卤化硅或锗。

4.根据权利要求1或2的氢化卤化硅或卤化锗的方法，其特征在于， 所述路易斯酸碱对的氢化在-80℃和200℃之间的温度下实施。

5.根据权利要求1或2的氢化卤化硅或卤化锗的方法，其特征在于， 所述路易斯酸碱对的氢化在0.1MPa和10.0MPa之间的压力下实施。

6.根据权利要求1或2的氢化卤化硅或卤化锗的方法，其特征在于， 所述单体的，低聚的或聚合的卤化硅或卤化锗的氢化利用在-20℃和 200℃之间的温度来实施。

7.根据权利要求1或2的氢化卤化硅或卤化锗的方法，其特征在于， 所述单体的，低聚的或聚合的卤化硅或卤化锗的氢化利用在0.05MPa和 0.5MPa之间的压力来实施。

8.根据权利要求1的氢化卤化硅或卤化锗的方法，其特征在于，第 二步骤在氢化反应器(4)中进行。

9.根据权利要求8的氢化卤化硅或卤化锗的方法，其特征在于，第 三步骤在再生反应器(12)中进行。

10.根据权利要求8的氢化卤化硅或卤化锗的方法，其特征在于， 在氢化反应器(4)中作为固体沉淀出来的氢化的硅化合物或氢化的锗 化合物通过在所述反应器底部的排出装置排出。

11.根据权利要求8的氢化卤化硅或卤化锗的方法，其特征在于， 在氢化反应器(4)中作为气体逸出的氢化的硅化合物或氢化的锗化合 物经由排出装置获得。

12.根据权利要求9的氢化卤化硅或卤化锗的方法，其特征在于， 在所述再生反应器(12)中产生的卤化氢被热排出并且经由阀门(16) 从过程中除去。

13.根据权利要求1或2的氢化卤化硅或卤化锗的方法，其特征在于， 所述卤化氢在100℃和300℃之间的温度下进行进一步的热分解。

14.根据权利要求9的氢化卤化硅或卤化锗的方法，其特征在于， 所述再生的路易斯酸碱对被再次输送到氢化反应器(4)中。

15.根据权利要求1或2的氢化卤化硅或卤化锗的方法，其特征在于， 在第三步骤中在重新添加H₂的条件下将所述含卤素的路易斯酸碱对重新 氢化。

16.根据权利要求14的氢化卤化硅或卤化锗的方法，其特征在于， 在第三步骤中在重新添加H₂的条件下将所述含卤素的路易斯酸碱对重新 氢化。