[发明专利]用于制造多个光电子器件的方法和光电子器件有效
申请号: | 200880018354.1 | 申请日: | 2008-06-19 |
公开(公告)号: | CN101681969A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 西格弗里德·赫尔曼 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 炜;许伟群 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 光电子 器件 方法 | ||
1.一种用于制造多个光电子器件的方法,具有如下步骤:
-提供连接支承体复合结构,其具有多个器件区域,其中在器件区域 中分别设置有至少一个电连接区域,
-提供半导体本体支承体,在该半导体本体支承体上设置有多个单独 的并且与半导体本体支承体连接的半导体本体,其中半导体本体分别具有 带有有源区的半导体层序列,
-将连接支承体复合结构与半导体本体支承体相对于彼此设置,使得 半导体本体朝向器件区域,
-将多个半导体本体与连接支承体复合结构在与相应半导体本体关 联的器件区域的安装区域中以机械方式连接,将相应的半导体本体与同半 导体本体关联的器件区域的电连接区域导电连接,并且将要与连接支承体 复合结构连接的或者已与之连接的半导体本体与半导体本体支承体分离,
-将连接支承体复合结构划分成多个单独的光电子器件,所述光电子 器件分别具有:连接支承体,其具有器件区域;以及设置在连接支承体上 的并且与该电连接区域导电连接的半导体本体,
其特征在于,
-将接触斜面设置在半导体本体旁,其中接触斜面楔形地构建并且朝 着连接支承体的朝向半导体本体的侧走向,半导体本体设置在连接支承体 上。
2.根据权利要求1所述的方法,其中相应的电连接区域具有安装区 域和连接导体区域,并且安装区域突出于连接导体区域。
3.根据上述权利要求1和2中的任一项所述的方法,其中连接支承 体对于半导体本体中产生的辐射是透射的。
4.根据上述权利要求1和2中的任一项所述的方法,其中连接支承 体复合结构的电连接区域借助平版印刷来构建。
5.根据上述权利要求1和2中的任一项所述的方法,其中在器件区 域中多个半导体本体与连接支承体复合结构连接,并且在器件区域中的相 邻半导体本体的距离为40μm或者更小。
6.根据上述权利要求1和2中的任一项所述的方法,其中在将半导 体本体固定在连接支承体复合结构上之后,在半导体本体之间将平面化材 料施加到连接支承体复合结构上,并且平面化材料在施加之后构建为使得 在相应的半导体本体旁边设置有平面化层,其中接触斜面通过平面化层形 成。
7.根据上述权利要求1和2中的任一项所述的方法,其中构建有接 触导体,其层状地从相应半导体本体的背离安装区域的侧朝着连接支承体 延伸。
8.根据权利要求7所述的方法,其中在将半导体本体固定在连接支 承体复合结构上之后,并且尚在划分连接支承体复合结构之前,将接触部 施加到相应半导体本体的背离安装区域的侧上,其中接触部具有电流分布 结构,该电流分布结构施加到半导体本体的与半导体本体的安装区域背离 的侧上,并且接触导体和电流分布结构借助平版印刷通过使用共同的掩膜 施加到连接支承体复合结构上。
9.根据上述权利要求1和2中的任一项所述的方法,
其中在将半导体本体与半导体本体支承体分离之后去除半导体本体 支承体并且提供另外的半导体本体支承体,
其中设置在所述另外的半导体本体支承体上的半导体本体与连接支 承体复合结构连接并且与所述另外的半导体本体支承体分离,并且
其中设置在所述另外的半导体本体支承体上的半导体本体分别固定 在已经与连接支承体复合结构连接的半导体本体上,并且导电地与已经与 连接支承体复合结构连接的半导体本体连接。
10.一种光电子器件,具有:
-半导体本体,其包括带有有源区的半导体层序列,以及
-连接支承体,在该连接支承体上设置和固定有半导体本体,其中在 连接支承体的朝着半导体本体的侧上构建有电连接区域,该电连接区域在 连接支承体的俯视图中在半导体本体旁边延伸,并且电连接区域与半导体 本体导电连接,
其特征在于,
-平面化层在半导体本体旁边设置在连接支承体上,其中平面化层的 背离连接支承体的侧距半导体本体的背离连接支承体的侧的距离小于半 导体本体的背离连接支承体的侧距连接支承体的距离。
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