[发明专利]用于制造多个光电子器件的方法和光电子器件有效

专利信息
申请号: 200880018354.1 申请日: 2008-06-19
公开(公告)号: CN101681969A 公开(公告)日: 2010-03-24
发明(设计)人: 西格弗里德·赫尔曼 申请(专利权)人: 欧司朗光电半导体有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 陈 炜;许伟群
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 制造 光电子 器件 方法
【说明书】:

发明涉及一种用于制造多个光电子器件的方法和光电子器件。

为了制造光电子器件(其在制造之后应固定在电导体支承体譬如印刷 电路板上并且应电接触),通常需要一系列单个处理步骤,这些步骤必须 单独在每个器件上实施。例如,光电子半导体芯片借助所谓的拾放方法 (Pick and Place-Verfahren)单独地引入用于分别要制造的器件的壳体 中,并且分别单独地与壳体的连接导体导电地相连。与可以同时针对多个 器件实施的处理步骤相比,单个处理步骤即针对每个器件而单独实施的步 骤更为成本高昂且费事。

本发明的任务是提出一种用于制造多个光电子器件的简化的方法以 及一种可以简化地制造的光电子器件。

该任务通过根据独立权利要求所述的方法或光电子器件来解决。本发 明的有利的扩展方案和改进方案是从属权利要求的主题。

在根据本发明的用于制造多个光电子器件的方法中,首先提供连接支 承体复合结构,其具有多个器件区域,其中在这些器件区域中分别设置有 至少一个电连接区域。此外,提供了半导体本体支承体,在半导体本体支 承体上设置有多个单独的并且与半导体本体支承体相连的半导体本体,其 中半导体本体分别具有带有有源区域的半导体层序列。

随后将连接支承体复合结构和半导体本体支承体相对于彼此设置为 使得半导体本体朝着器件区域。优选地,连接支承体复合结构和半导体本 体支承体设置为、尤其是相对于彼此设置为使得半导体本体与连接支承体 复合结构机械接触。半导体本体尤其是可以放置在连接支承体复合结构 上。

接着,多个半导体本体与连接支承体复合结构在与相应的半导体本体 关联的器件区域的安装区域中以机械方式相连。相应的半导体本体与同半 导体本体关联的器件区域的连接区域导电地相连。尤其是以电方式和/或 以机械方式要与连接支承体复合结构连接的或者已与之连接的半导体本 体被与半导体本体支承体分离。半导体本体与半导体本体支承体的分离可 以在相应的半导体本体与连接支承体复合结构以电方式和/或以机械方式 连接之前或者之后进行。

随后,将连接支承体复合结构分成多个单独的光电子器件,其中这些 器件分别具有连接支承体和设置在连接支承体上的并且与连接区域导电 连接的半导体本体,其中所述连接支承体具有器件区域。

这种方法具有的优点是,可以在复合结构中进行半导体本体与连接支 承体的连接区域的导电连接和机械连接。随后可以在一个处理步骤中同时 对多个半导体本体实施半导体本体的电和机械连接。可以减少或者避免单 个加工步骤例如拾放过程或者单独的、即对于每个半导体本体要单独实施 的线接合连接。

合乎目的地,半导体本体与半导体本体支承体分离并且在安装区域中 与连接支承体复合结构相连,该半导体本体在连接支承体复合结构的相应 器件区域的安装区域上延伸。

连接支承体复合结构和半导体本体在半导体本体支承体上的分布优 选彼此相协调,使得在将连接支承体复合结构和半导体本体支承体相对于 彼此以预先给定的方式布置的情况下,半导体本体、优选恰好一个半导体 本体在与该半导体本体关联的安装区域上延伸。

优选地,并未在连接支承体复合结构的安装区域上延伸的半导体本体 保留在半导体本体支承体上。于是,在连接支承体复合结构的安装区域上 延伸的半导体本体可以选择性地与半导体本体支承体分离,而未在安装区 域上延伸的半导体本体可保留在半导体本体支承体上。这具有如下优点: 半导体本体在半导体本体支承体上的布置不必与安装区域的布置匹配,反 之亦然。

为了制造多个器件,优选仅仅将布置在半导体本体支承体上的半导体 本体的一部分与半导体本体支承体分离并且与连接支承体复合结构相连。

在一个优选的扩展方案中,半导体本体与半导体本体支承体的分离借 助电磁辐射尤其是激光辐射来进行。激光分离方法特别适于将单个半导体 本体与半导体本体支承体选择性地分离。要分离的半导体本体可以局部用 激光照射。未被照射的半导体本体保留在半导体本体支承体上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧司朗光电半导体有限公司,未经欧司朗光电半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880018354.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top