[发明专利]脉冲源的多路复用

说明书

技术领域

本发明涉及一种通过输出孔生成输出辐射的方法。

本发明还涉及一种实现这种方法的设备以及包括所述设备的光刻装置。

背景技术

生成脉冲辐射的方法和设备是已知的。这些方法和设备例如用于在光敏晶片的光刻范围内生成用于光链的辐射。这种光链包括：

-脉冲源，生成期望波长范围内的辐射；

-光学系统，从脉冲源接收辐射并且对其进行处理(例如，通过使其瞄准和/或使其会聚)；

-掩模，从光学系统接收辐射，仅允许透射图样前方的辐射射线通过，辐射的其余部分被掩模阻止；以及

-晶片，接收未被掩模阻止的射线。

暴露于辐射的晶片表面被光刻胶或光敏产品所覆盖。到达晶片的射线与该产品相互作用，并且在晶片表面上形成与掩模的透射图样对应的图样。

用于EUV光刻的脉冲源的期望平均功率为100W量级，例如为150W，但是功率越大越有利。功率越大，效果越好。大功率允许处理具有较大的吞吐量。

EUV光刻源的脉冲辐射的期望频率为10kHz量级，例如为7kHz，但是频率越大越有利。频率越大，效果越好。高频率允许在扫描晶片时到达晶片的射线的粒度具有统计均匀性。

文献US 6,861,656公开了在极紫外和软X-射线光刻系统中使用的高光度EUV-源设备，这种设备能够生成具有大功率和高频率的输出辐射。这种设备包括多个脉冲EUV-光源。每个脉冲源发射光脉冲，每个光脉冲被相关联的平面镜反射。如US 6,861,656的图7a和7b所示，这些脉冲源被时分复用，以获得基本连续的合成光发射。然而，根据US 6,861,656的时分复用难以实现，因为它需要同时改变平面镜的角位。

本发明的目的是提出一种比现有技术更容易实现的用于生成具有大功率和/或高频率的输出辐射的方法，以及一种实现这种方法的设备。

发明内容

本发明的一方面涉及一种通过输出孔生成输出辐射的方法，所述方法包括：

-由多个辐射源(11-14，20)生成脉冲辐射，每个源被设置为分别

(i)在对应的等离子体(211)内生成对应的脉冲基本辐射，

其波长包括对应的期望范围；

(ii)将其对应的基本辐射的射线引导至所述输出孔(5)上；

-对于每个源，在对应的基本辐射所通过且位于对应的等离子体(211)内的对应控制区域内分布射线的折射率，以根据波长选择性地偏移所述对应的基本辐射的射线；以及

-时间复用所述辐射源，以在所述输出孔(5)处获得所述输出辐射。

时间复用通常意味着通过时间复用器在时间上对辐射的生成之间进行协调。

所述方法可进一步包括检测所述辐射源之一的故障，以及通过取代故障源的备用源生成基本辐射。

所述方法可进一步包括测量所述输出辐射的功率，并根据对所述输出辐射的功率的测量控制时间复用。所述脉冲辐射生成可包括由工作源相继地生成基本辐射；以及在所述工作源生成的输出辐射小于最小阈值的情况下由至少一个辅助源生成至少一个基本辐射。

所述多个基本辐射可同时生成以创建期望的辐射图样。所述方法可进一步包括随着时间对期望图样进行动态修改。对于所述辐射源中的至少一个，对期望图样的动态修改可包括对将所述辐射源生成的射线反射至所述输出孔的至少一个反射镜的角位进行修改。

所述输出辐射的平均频率可大于每个辐射源的最大频率。每个源可具有不同的最大频率。

本发明的另一方面涉及一种通过输出孔生成输出辐射的设备，所述设备包括：

-多个辐射源，每个源包括用于生成对应的脉冲基本辐射的装置，所述对应的脉冲基本辐射的波长包括对应的期望范围，每个源被设置为将其对应的基本辐射的射线引导至所述输出孔上，每个源包括对应的等离子体和偏移装置，在所述对应的等离子体中生成对应的基本辐射，所述偏移装置包括对对应的基本辐射所通过的且位于对应的等离子体内的对应控制区域内的射线的折射率的受控分布进行设置的装置，以根据波长选择性地偏移所述对应的基本辐射的射线；以及

-时间复用器，时间复用所述辐射源，以在所述输出孔处获得所述输出辐射。

根据本发明的设备可进一步包括对所述脉冲源中的至少一个的故障进行检测的装置，所述多个辐射源包括备用组，所述备用组包括被设置为取代至少一个故障源来生成辐射的至少一个备用源。备用组优选地包括多个备用源，每个备用源被设置为取代故障源之一来生成辐射。