[发明专利]光输出设备有效
申请号: | 200880019268.2 | 申请日: | 2008-06-02 |
公开(公告)号: | CN101689558A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
发明(设计)人: | M·M·J·W·范赫彭;M·C·弗穆伦 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/32;H01L33/64;H01L51/52;F21V29/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 周红力;谭祐祥 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输出设备 | ||
1.一种光输出设备,其包括:衬底布置(1,2),具有集成到 衬底布置的结构中的至少一个LED(4),其中,所述衬底布置包括:
至少一个透光衬底(1);
与至少一个LED(4)热接触的热绝缘层(5);
夹在所述衬底布置(1,2)之间的电极布置(3a,3b),其连接 到所述至少一个LED(4),以及
与至少一个LED(4)热接触的导热层(6a)。
2.如权利要求1所述的设备,其中,所述热绝缘层(5)具有小 于1W/mK的热导率。
3.如权利要求2所述的设备,其中,所述热绝缘层(5)具有小于 0.2W/mK的热导率。
4.如权利要求2所述的设备,其中,热绝缘层(5)包括:热塑 层或者树脂。
5.如权利要求1所述的设备,其包括:第一和第二透光衬底(1, 2),其中,导热层(6a)设置在第一和第二衬底中的一个(1)上, 且另一个导热层(6b)设置在第一和第二衬底的另一个(2)上。
6.如权利要求5所述的设备,其中,所述导热层(6a,6b)的热 阻小于其上设置有所述导热层的衬底(1,2)的热阻的10%。
7.如权利要求5所述的设备,其中,所述导热层(6a,6b)具有 小于8.5K/W的热阻。
8.如权利要求5所述的设备,其中,所述导热层(6a,6b)具有 厚度d和的热导率K,其满足K*D>0.002,单位是W/K。
9.如权利要求5所述的设备,其中,所述导热层(6a,6b)是透 明的。
10.如权利要求5所述的设备,其中,所述导热层(6a,6b)包 括:类金刚石碳素、MgO和Si3N4中的一种或多种。
11.如任何一个前述权利要求所述的设备,其中,所述衬底布置 包括第一和第二衬底(1,2)。
12.如权利要求1所述的设备,其中,所述电极布置(3a,3b) 包括:基本上透明的氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锡或者掺氟氧化锡。
13.如权利要求1所述的设备,其中,所述导热层是导电的,且 被图案化为至少部分地与电极布置相对应。
14.如权利要求1所述的设备,其中,所述LED(4)包括:无机 LED、有机LED、聚合物LED或者激光二极管。
15.如权利要求5所述的设备,其中,所述导热层(6a,6b)被 图案化,且图案包括:在LED(4)附近和周围的至少一个区域或者多 个区域。
16.一种发光系统,其包括如任何一个前述权利要求所述的光输 出设备,以及用于控制提供给光源装置的信号的控制器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的