[发明专利]光输出设备有效
申请号: | 200880019268.2 | 申请日: | 2008-06-02 |
公开(公告)号: | CN101689558A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
发明(设计)人: | M·M·J·W·范赫彭;M·C·弗穆伦 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/32;H01L33/64;H01L51/52;F21V29/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 周红力;谭祐祥 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输出设备 | ||
技术领域
本发明涉及光输出设备,特别是使用与透光衬底结构相关联的光源的光输出设备。
背景技术
这种类型的发光设备的一个已知实例是所谓的“LED玻璃(LEDin glass)”设备。图1中示出了实例。典型地,玻璃板与形成电极的透明导电涂层(例如,ITO)一起使用。图案化导电涂层,以便制成与半导体LED装置连接的电极。装配通过层压玻璃来实现,而LED在热塑层(例如,聚乙烯醇缩丁醛,PVB)内部。
这种类型设备的应用是架子、陈列柜、建筑物正面、办公室隔断、墙面覆层以及装饰性发光。发光设备可以用来照亮其它物体,例如,显示图片,或者简单地用于装饰目的。
这种类型设备的一个问题是:将LED嵌入结构内部的层不应当过热,因为否则它将导致层(例如,PVB)内破坏。另外,LED本身也不应当过热(特别是接头温度不应该变得太高),因为否则LED寿命下降。典型地,玻璃本身热传导不足以减少热量,因此必须采取另外的预防措施。目前,所允许的LED最大功率值是受限的(例如,限制为0.3瓦特)。通过限制LED的工作电流,可以导致色温的可见偏移。因此,为了成本和性能,LED应当接近于它们标称功率工作,这在目前对于使用例如1瓦特的LED是不可能的。
本发明的目的是提供一种结构,该结构允许LED在理想功率级工作,而没有损坏设备结构的危险。
发明内容
根据本发明,提供一种光输出设备,其包括:衬底布置,具有集成到衬底布置的结构中的至少一个光源装置,其中,衬底布置包括:
至少一个透光衬底;
与至少一个光源装置热接触的热绝缘层;以及
与至少一个光源装置热接触的导热层。
通过设置导热层,以便于传导热量远离光源装置(典型地是LED),热量在较大面积上扩散,从而导致更好地冷却系统。因此,LED可以以较高的功率来驱动。
光源装置可以至少部分地嵌入热绝缘层中。而且,热绝缘层可以设置在至少一个衬底上。
透光衬底材料可以是透明的(光学透明),或者漫射的透射材料。
光传导层可以以涂层的形式来涂覆。
可以存在两种衬底,在衬底之间夹有光源装置,且它们中的一个或者两个可以设置有优选为透明的导热层。
导热层或者每个导热层的热阻(thermal resistance)优选地小于10%其上设置有导热层的衬底的热阻。这防止了层作为热绝缘体。导热层或者每个导热层可以具有小于8.5K/W的热阻。
热绝缘层优选地具有小于1W/mK的热导率,优选地小于0.2W/mK,且可以是热塑,或者树脂层。
导热层或者每个导热层优选地具有厚度d和热导率K,满足K*D>0.002,单位是W/K。这提供了足够的热量散失,以允许光输出设备工作的功率增加。所述值可以满足K*D>0.003或者甚至K*D>0.004。
导热层或者每个导热层可以包括类金刚石的碳、MgO、Si3N4、银和铜(后两者适用于丝网印刷)中的一种或者多种。
衬底布置可以进一步地包括夹在衬底之间的电极布置,其中,至少一个光源装置与电极布置连接。电极布置优选地包括至少半透明的导体布置,例如,基本上透明的氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锡或者掺氟氧化锡。
可替代地,电极布置可以包括优选为半透明的传导材料,例如,金、银、铜、锌或者不锈钢。优选地为半透明的传导材料可以包括含有传导颗粒的墨水(ink)。
光源装置可以包括LED装置,例如,无机LED、有机LED、聚合物LED或者激光二极管。光源装置还可以包括几个LED装置。
本发明还提供包括本发明的光输出设备的发光系统,以及用于控制提供给光源装置的信号的控制器。
要指出的是,本发明涉及权利要求中所陈述的特征的所有可能组合。
附图说明
现在将参考附图来详细描述本发明的实例,其中:
图1示出了已知的LED玻璃照明设备;
图2更详细地示出了图1的设备中的单个LED;
图3示出了本发明的LED玻璃设备中的第一实例;
图4示出了用于分析目的的典型LED的尺寸;
图5示出了代表图3的设备中热量流动的电路;
图6用来图示来自图3的设备的衬底的热传递;
图7示出了代表热量流动的另一个电路;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的