[发明专利]光刻设备和方法有效

专利信息
申请号: 200880020205.9 申请日: 2008-06-13
公开(公告)号: CN101681122A 公开(公告)日: 2010-03-24
发明(设计)人: J·J·M·巴塞尔曼斯;A·J·布理克尔 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王新华
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 光刻 设备 方法
【权利要求书】:

1.一种测量光刻设备中的像差的方法,所述方法包括步骤:

使用单独可控元件的阵列调制辐射束;

使用投影系统投影所调制的辐射束;

使用传感器探测所投影的辐射;和

测量在所探测的辐射束中的像差,

其中在所述单独可控元件的阵列上设置图案以调制所述辐射束,其中所述图案具有重复的结构并且由多个特征形成,其中所述多个特征的尺寸形成为产生基本上充满投影系统的光瞳的所述辐射束的第一级衍射,并且其中所述传感器测量由所述投影系统投影的辐射中的干涉;

通过相消干涉所述特征基本上消除零级衍射辐射。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述特征随机地设置。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,邻近的特征彼此间隔开并且没有重叠。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述特征测量小于的跨度,其中λ是辐射束的波长,而NA是投影系统的数值孔径。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,基本上一半所述特征提供具有第一相的辐射,而基本上一半所述特征提供具有与所述第一相相反的第二相的辐射。

6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述单独可控元件是具有相台阶的反射镜,并且其中基本上一半所述特征具有第一取向,而基本上一半所述特征具有相反取向。

7.根据权利要求1所述的方法,其中,通过探测由所述投影系统投影的辐射中的干涉图案的第一谐波来确定所述像差。

8.根据权利要求1所述的方法,其中,光栅形成所述传感器的一部分,并且其中所述干涉通过光栅产生。

9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述特征由单独可控元件组形成。

10.一种光刻设备,包括:

单独可控元件的阵列,其配置用以调制辐射束;

投影系统,其配置用于投影所调制的辐射束;

传感器,其布置用以探测由所述投影系统投影的辐射;和

控制器,其布置用以在所述单独可控元件的阵列上提供图案;

其中所述图案具有重复的结构并且由多个特征形成,其中所述多个特征的尺寸形成为产生基本上充满投影系统的光瞳的辐射束的第一级衍射,并且其中所述传感器测量由所述投影系统投影的辐射中的干涉;

通过相消干涉所述特征基本上消除零级衍射辐射。

11.根据权利要求10所述的光刻设备,其中,所述单独可控元件是反射镜,所述反射镜具有各自的相台阶。

12.根据权利要求11所述的光刻设备,其中,基本上一半所述特征采用具有第一取向的反射镜形成,而基本上一半所述特征采用具有与所述第一取向相反的第二取向的反射镜形成。

13.根据权利要求10-12中任一项所述的光刻设备,其中,所述传感器包括探测器和光栅,其中所述光栅离开所述探测器设置,并且其中所述光栅位于所述投影系统的图像平面内而所述探测器位于远场中。

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