[发明专利]光刻设备和方法有效

专利信息
申请号: 200880020205.9 申请日: 2008-06-13
公开(公告)号: CN101681122A 公开(公告)日: 2010-03-24
发明(设计)人: J·J·M·巴塞尔曼斯;A·J·布理克尔 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王新华
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 光刻 设备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种用于光刻设备中进行测量的设备和方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底或衬底的一部分上的机器。例如,可以将光刻设备用在平板显示器、集成电路(IC)和包括微细结构的其他器件的制造中。在现有设备中,可以将可称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成对应于平板显示器(或其他器件)的单层上的电路图案。通过成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(例如,抗蚀剂)层上可以将该图案转移到衬底(例如,玻璃板)的全部或一部分上。

除了电路图案,图案形成装置可以用于产生其他图案,例如滤色片图案(color filter pattern)或点阵。除了掩模,图案形成装置可以是包括单个可控元件阵列的图案化阵列。与基于掩模的系统相比,在这种系统中图案可以更迅速地并且更少成本地进行变化。

通常,平板显示器衬底是矩形形状。设计用于曝光这种类型的衬底的光刻设备可以提供覆盖矩形衬底的整个宽度、或覆盖所述宽度的一部分(例如,宽度的一半)的曝光区域。可以在曝光区域下面扫描衬底的同时,通过束同时地扫描掩模或掩模版。在这种方式中,图案被转移到衬底上。如果曝光区域覆盖衬底的整个宽度,则可以用单次扫描完成曝光。如果曝光区域覆盖例如衬底的一半宽度,则可以在第一扫描之后横向移动衬底,并且通常执行另一次扫描来曝光衬底的剩余部分。

光刻术需要以高精确度将图案投影到衬底上。为了确保以这种高精确度实现投影,光刻设备可以执行不同的校准测量,并且在一些情况下,光刻设备可以相应于这些测量结果进行调整。

传统的光刻设备通常采用透射型的掩模版。然而,在某些提出的光刻设备中,透射型的掩模版被单独可控元件阵列替代,例如反射镜阵列。在这些非常规的光刻设备中,传统的校准测量系统和方法不再适合或不再是最佳的。

因此,需要一种系统和方法,其测量由采用单独可控元件阵列的光刻设备内的投影系统投影的辐射束的相干性。

发明内容

在本发明的一个实施例中,提供一种用于测量光刻设备中的像差的设备和方法。

在本发明的另一实施例中,提供一种光刻设备,所述光刻设备包括单独可控元件的阵列、投影系统、传感器以及控制器。单独可控元件的阵列配置用以调制辐射束。投影系统配置用以投影所调制的辐射束。传感器布置用以探测由投影系统投影的辐射并且测量所投影的辐射中的干涉。控制器布置用以在单独可控元件的阵列上提供图案以调制所述辐射束。所述图案包括重复的结构并且由多个特征形成,这些特征的尺寸形成为使得辐射束的第一级衍射基本上充满投影系统的光瞳。

根据本发明的另一实施例,提供一种测量光刻设备中存在的像差的方法。所述方法包括:使用单独可控元件的阵列调制辐射束;使用投影系统投影所述辐射束;使用传感器探测所投影的辐射;和测量在所探测的辐射束中的像差。在所述单独可控元件的阵列上设置图案。所述图案具有重复的结构并且由多个特征形成,其中所述多个特征的尺寸形成为使得所述辐射束的第一级衍射基本上充满投影系统的光瞳,并且其中所述传感器布置用以测量由所述投影系统投影的辐射中的干涉。

本发明的其他实施例、特征以及优点以及本发明不同实施例的结构和操作在下文中将参照附图详细描述。

附图说明

合并与此、形成为说明书的一部分的附图使出本发明的一个或更多个实施例,并且与所描述的内容一起用于解释本发明的原理,使得本领域普通技术人员能够制造和使用本发明。

图1示出光刻设备;

图2示出光刻设备;

图3示出如图2所示的将图案转移到衬底的一种模型;

图4示出一种光学引擎的布置;

图5示出上面图1中所述的光刻设备的示例部分;

图6示出消除零衍射级辐射的反射镜的示例性阵列;

图7示出消除零衍射级辐射的反射镜的第二示例性阵列;

图8a和8b示出传感器在图案下面的移动。

下面将参照附图描述本发明的一个或更多个实施例。在附图中,相同的附图标记表示相同的或功能类似的元件。附加地,附图标记的最左边的数字可以识别附图标记首次出现的附图。

具体实施方式

本说明书公开了一个或更多个并入本发明的特征的实施例。所公开的实施例仅是本发明的示例。本发明的范围并不限于所公开的实施例。本发明由权利要求进行限定。

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