[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200880020280.5 | 申请日： | 2008-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN101681859A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 森藤忠洋;上田茂幸 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
电极焊盘部分，所述电极焊盘部分形成在衬底的表面上；
包括第一开口的第一保护层，通过所述第一开口，电极焊盘部分的顶面被暴露，所述第一保护层形成在衬底的所述表面上以与电极焊盘部分的一部分重叠；
隔离金属层，所述隔离金属层形成在电极焊盘部分上；和
隆起电极，所述隆起电极形成在隔离金属层上；
第二保护层，所述第二保护层被形成以覆盖第一保护层上的预定区域和电极焊盘部分上的预定区域，
其中，隔离金属层具有外周端部分，当从平面图观看时，所述外周端部分形成在第一保护层中的第一开口的内部，并且隔离金属层形成在电极焊盘部分上，且隔离金属层的周边部分位于第二保护层之上，
在第二保护层内，形成第二开口，通过所述第二开口，电极焊盘部分的顶面被暴露，且第二开口的开口宽度小于第一开口的开口宽度；以及，
其中，限定第二开口的第二保护层的边缘部分具有倾斜形状。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中，第二保护层由聚酰亚胺构成。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，
电极焊盘部分由包含铝的材料构成，隔离金属层由包含钛的材料构成，以及隆起电极包括焊料隆起焊盘。
4.一种半导体器件，包括：
电极焊盘部分，所述电极焊盘部分形成在衬底的表面上；
包括第一开口的第一保护层，通过所述第一开口，电极焊盘部分的顶面被暴露，所述第一保护层形成在衬底的表面上以与电极焊盘部分的一部分重叠；
隔离金属层，所述隔离金属层形成在电极焊盘部分上并与第一保护层不直接接触；以及
隆起电极，所述隆起电极形成在隔离金属层上；
第二保护层，所述第二保护层被形成以覆盖第一保护层上的预定区域和电极焊盘部分上的预定区域，
其中，由于第一保护层与电极焊盘部分的一部分重叠的结果，第一保护层具有形成在其内的台阶部分；以及，
其中，隔离金属层具有外周端部分，当在平面图中观察时，所述外周端部分形成在台阶部分的外部，并且隔离金属层形成在电极焊盘部分上，且隔离金属层的周边部分位于第二保护层之上。
5.根据权利要求4中所述的半导体器件，其中，
在第二保护层内，形成第二开口，通过所述第二开口，电极焊盘部分的顶面被暴露，且第二开口的开口宽度小于第一开口的开口宽度；以及，
其中，限定第二开口的第二保护层的边缘部分具有倾斜形状。
6.根据权利要求4或5所述的半导体器件，
其中，第二保护层由聚酰亚胺构成。
7.根据权利要求4或5所述的半导体器件，
其中，电极焊盘部分由包含铝的材料构成，隔离金属层由包含钛的材料构成，以及隆起电极包括焊料隆起焊盘。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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