[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 200880020280.5 申请日: 2008-06-13
公开(公告)号: CN101681859A 公开(公告)日: 2010-03-24
发明(设计)人: 森藤忠洋;上田茂幸 申请(专利权)人: 罗姆股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 朱进桂
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体器件
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种半导体器件,在所述的半导体器件内半导体芯片按照倒装芯片法被结合。

背景技术

在传统已知的半导体封装(半导体器件)中,半导体芯片通过倒装芯片结合被结合。将要安装在这样的半导体封装内的半导体芯片具有形成在其上的焊料隆起焊盘(solder bump)(隆起电极(bump electrode))以允许倒装芯片结合(例如,参见下列的专利文献1)。

图29~31示出了专利文献1公开的传统半导体器件的结构的截面示意图。在传统的半导体器件内,如图29所示,电极焊盘(electrode pad)部分1002形成在半导体衬底1001的顶面上。可以理解,诸如IC或LSI的电路(未显示)被制造在半导体衬底1001的顶面上。而且,在半导体衬底的顶面上,用于保护半导体衬底1001的顶面的保护层1003被形成。保护层1003具有开口1003a,通过所述开口,电极焊盘部分1002上的预定区域被暴露。而且,保护层1003被形成以与电极焊盘部分1002的周边部分重叠,结果,保护层1003具有形成在其中的台阶部分1003b。

而且,在电极焊盘部分1002上,通过隔离金属层1004,隆起电极1005被形成。隔离金属层1004形成在电极焊盘部分1002上,使得隔离金属层1004的周边部分1004a位于与电极焊盘部分1002重叠的保护层1003的区域上。即,隔离金属层1004的外周端部分1004b形成在与电极焊盘部分1002重叠的保护层1003的区域上。

此外,如图30所示,半导体衬底1001面朝下被布置在印刷电路板1006之上,所述半导体衬底具有形成在其上的隆起电极1005,使得半导体衬底1001的顶面(电路面)面对着印刷电路板1006,并且半导体衬底1001按照倒装芯片法通过隆起电极1005与印刷电路板1006上的电极1007相连。

专利文献1:JP-A-2007-13063。

发明内容

发明解决的问题

在上述专利文献1公开的传统的半导体器件中,由于隔离金属层1004被配置为使得其周边部分1004a位于与电极焊盘部分1002重叠的保护层1003的部分上,如图30和31所示,不利的是:当由于半导体衬底1001与印刷电路板1006之间热膨胀系数不同所引起的热应力作用于隆起电极1005时,在位于隔离金属层1004的外周端部分1004b之下(对应于其的一个区域)的保护层1003的区域内易形成裂缝。这使得保护层1003易发生断裂,从而造成的不便是:当保护层1003断裂时,断裂将降低半导体器件的可靠性。

本发明用于解决上述的问题,并且本发明的目的是提供一种可防止可靠性降低的半导体器件。

解决问题的方法

为实现上述目的,根据本发明的第一方面,半导体器件被设置有:电极焊盘部分,所述电极焊盘部分形成在衬底的表面上;包含第一开口的第一保护层,通过所述第一开口,电极焊盘部分的顶面被暴露,第一保护层形成在衬底的表面上以与电极焊盘部分的一部分重叠;隔离金属层,所述隔离金属层形成在电极焊盘部分上;以及隆起电极,所述隆起电极形成在隔离金属层上。这里,隔离金属层具有外周端部分,当从平面图中观看时,所述外周端部分形成在第一保护层中的第一开口的内部。

如上所述,在根据第一方面的半导体器件内,隔离金属层被配置为使得当从平面图中观看时,其外周端部分形成在第一保护层中的第一开口的内部,这样,第一保护层不形成在隔离金属层的外周端部分的下方。因此,在将衬底以倒装芯片法结合在印刷电路板上期间,即使当由于衬底与印刷电路板之间热膨胀系数不同所引起的热应力作用于隆起电极时,也可防止在第一保护层内形成裂缝。因此,可防止第一保护层的断裂,从而可防止因第一保护层断裂所引起的半导体器件的可靠性降低。

在根据第一方面的上述半导体器件中,优选地另外还设置:第二保护层,所述第二保护层被形成以覆盖第一保护层上的预定区域和电极焊盘部分上的预定区域。这里,隔离金属层形成在电极焊盘部分上,且隔离金属层的周边部分位于第二保护层之上。基于此配置,可容易地构成隔离金属层,使得当从平面图观看时其外周端部分位于第一保护层中的第一开口的内部。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗姆股份有限公司,未经罗姆股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880020280.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top