[发明专利]接合方法、接合体、液滴喷出头及液滴喷出装置无效
申请号: | 200880020507.6 | 申请日: | 2008-06-16 |
公开(公告)号: | CN101678611A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 松尾泰秀 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | B29C65/02 | 分类号: | B29C65/02;B32B27/00;B32B27/16;B41J2/045;B41J2/055;B41J2/16 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接合 方法 喷出 装置 | ||
1.一种接合方法,其特征在于,包括:
第一工序,其中,准备在基材上具备等离子体聚合膜的第一粘附体;
第二工序,其中,向所述等离子体聚合膜的表面中的一部分规定区域有选择地赋予能量,使所述等离子体聚合膜的表面的所述规定区域活化;
第三工序,其中,准备第二粘附体,并且使所述已活化的等离子体聚合膜的表面与所述第二粘附体密接,由此得到所述第一粘附体和所述第二粘附体在所述等离子体聚合膜的表面的所述规定区域部分地接合的接合体。
2.根据权利要求1所述的接合方法,其中,
所述第二粘附体的表面存在羟基及所述第二粘附体中的结合被切断而成的活性的结合键的至少一方,
在所述第三工序中,使所述等离子体聚合膜与所述第二粘附体的所述表面密接。
3.根据权利要求2所述的接合方法,其中,
所述第二粘附体的表面被氧化膜覆盖。
4.根据权利要求2所述的接合方法,其中,
所述第二粘附体具有:
基材,
在该基材上设置且与所述第一粘附体具备的所述等离子体聚合膜相同的等离子体聚合膜;其中,
所述第二粘附体具备的等离子体聚合膜,其表面被赋予能量并被活化。
5.根据权利要求4所述的接合方法,其中,
对于所述第二粘附体具备的等离子体聚合膜,对其表面的一部分规定区域有选择地赋予能量,使所述第二粘附体具备的等离子体聚合膜的表面的所述规定区域活化。
6.根据权利要求5所述的接合方法,其中,
所述第一粘附体具备的等离子体聚合膜的表面的所述规定区域及所述第二粘附体具备的等离子体聚合膜的表面的所述规定区域的各自的俯视形状为处于相互交叉的关系的条纹状。
7.根据权利要求4所述的接合方法,其中,
在所述第三工序中,在所述第一粘附体具备的等离子体聚合膜的表面的所述规定区域和所述第二粘附体具备的等离子体聚合膜的表面的所述已活化的区域重叠的部分,所述第一粘附体和所述第二粘附体部分地接合。
8.根据权利要求1所述的接合方法,其中,
通过对所述等离子体聚合膜的表面照射能量射线,进行所述等离子体聚合膜的表面的所述活化。
9.根据权利要求8所述的接合方法,其中,
所述光为波长150~300nm的紫外光。
10.根据权利要求8所述的接合方法,其中,
在大气气氛中进行所述能量射线的照射。
11.根据权利要求1所述的接合方法,其中,
所述等离子体聚合膜是以聚有机硅氧烷或有机金属聚合物为主材料构成的。
12.根据权利要求11所述的接合方法,其中,
所述聚有机硅氧烷是以八甲基三硅氧烷的聚合物为主成分的。
13.根据权利要求11所述的接合方法,其中,
所述聚有机硅氧烷包含Si-H键。
14.根据权利要求13所述的接合方法,其中,
在所述包含Si-H键的聚有机硅氧烷的红外光吸收光谱中,归属于硅氧烷键的峰强度设为1时,归属于Si-H键的峰强度为0.001~0.2。
15.根据权利要求11所述的接合方法,其中,
在所述聚有机硅氧烷的红外光吸收光谱中,归属于硅氧烷键的峰强度设为1时,归属于甲基的峰强度为0.05~0.45。
16.根据权利要求11所述的接合方法,其中,
所述有机金属聚合物是以三甲基镓或三甲基铝的聚合物为主成分的。
17.根据权利要求1所述的接合方法,其中,
所述等离子体聚合膜的平均厚度为10~10000nm。
18.根据权利要求1所述的接合方法,其中,
在所述第三工序后,具有对所述接合体实施热处理的工序。
19.根据权利要求1所述的接合方法,其中,
在所述第三工序后,具有对所述接合体加压的工序。
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