[发明专利]固态存储器中的编程速率识别及控制有效
申请号: | 200880020782.8 | 申请日: | 2008-06-09 |
公开(公告)号: | CN101689404A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
发明(设计)人: | 弗朗姬·鲁帕尔瓦尔 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34;G11C16/24;G11C16/10 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 沈锦华 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 存储器 中的 编程 速率 识别 控制 | ||
1.一种用于固态存储器中的编程速率识别及控制的方法,所述固态存储器包括 具有耦合到位线的存储器单元列的存储器单元阵列,所述方法包括:
识别所述阵列中以比所述阵列中的剩余存储器单元较快的速率编程的存储器单 元;及
通过增加耦合到所述较快编程存储器单元的选定位线偏置电压以使得所述偏置 电压大于位线启用电压来致使以所述较快速率编程的所述存储器单元以与所述剩余存 储器单元大致类似的编程速率达到其相应经编程状态。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述经编程状态是阈值电压分布的一部分。
3.如权利要求2所述的方法,其中由模拟电压表示每一阈值电压。
4.如权利要求1所述的方法,且其进一步包含在编程期间从每一存储器单元读 取模拟阈值电压且将所述模拟阈值电压转换为所述模拟阈值电压的数字表示。
5.如权利要求1所述的方法,且其进一步包含:
识别所述存储器单元中的每一者的编程速率以确定较快编程存储器单元及较慢 编程存储器单元;及
存储每一较快编程存储器单元的位置的指示。
6.如权利要求5所述的方法,且其进一步包含存储与所述位置的所述指示相关 联的位线偏置电压的指示。
7.如权利要求5所述的方法,且其进一步包含:
接收包括逻辑地址的编程命令;及
在存储器中存取所述较快编程存储器单元中的每一者的所述位置的所存储指示 以确定所述逻辑地址是否匹配所述较快编程存储器单元的所述位置的所述指示中的任 一者。
8.如权利要求5所述的方法,且其进一步包含存储与每一较快编程存储器单元 相关联的所述编程速率的指示。
9.如权利要求5所述的方法,且其进一步包含存储与每一较快编程存储器单元 相关联的提供预定编程速率的所述位线偏置电压的指示。
10.一种用于控制非易失性固态存储器中的存储器单元的编程速率的方法,所述 非易失性固态存储器包括多个位线,每一位线均耦合到存储器单元列,所述方法包括:
针对所述存储器单元中的每一者读取第一编程脉冲之前的第一阈值电压;
向所述存储器单元中的每一者施加所述第一编程脉冲;
针对所述存储器单元中的每一者读取所述第一编程脉冲之后的第二阈值电压;
确定所述第一与第二阈值电压之间的差以找出较快编程存储器单元及较慢编程 存储器单元,其中所述较快编程存储器单元与所述较慢编程存储器单元相比具有较大 的所述第一与第二阈值电压之间的差;及
用大于启用电压且小于抑制电压的偏置电压偏置耦合到所述较快编程存储器单 元中的每一者的选定位线,使得所述较快编程存储器单元的所述编程速率降低。
11.如权利要求10所述的方法,且其进一步包括将所述第一及第二阈值电压转 换为指示所述第一及第二阈值电压的数字信号。
12.如权利要求10所述的方法,其中偏置包括将所述偏置电压写入到耦合到所 述选定位线的电容器,使得所述电容器在编程期间保持所述选定位线上的所述偏置电 压。
13.如权利要求10所述的方法,且其进一步包括:
接收包括所接收存储器单元地址及具有经编程状态的数据值的编程命令;
如果所述所接收存储器单元地址等于较快编程存储器的所存储存储器单元地址, 则从存储器读取与所述所存储存储器单元地址相关联的所存储位线电压数据;及
响应于所述所存储位线电压数据偏置耦合到所述所接收存储器单元地址的选定 位线。
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