[发明专利]固态存储器中的编程速率识别及控制

说明书

技术领域

本发明大体上涉及半导体存储器，且特定来说，本发明涉及固态非易失性存储器 装置。

背景技术

电子装置通常具有可供其采用的一些类型的大容量存储装置。一种常见实例为一 硬磁盘驱动器(HDD)。HDD能够以相对低成本进行大量存储，且当前消费者HDD 具有超过一个太字节的容量。

HDD通常将数据存储于旋转磁性媒体或唱片上。数据通常是以磁通反转模式的 形式存储于唱片上。当向典型HDD写入数据时，以较高速度旋转所述唱片，同时浮 动于所述唱片上方的写入头产生一连串磁性脉冲以在所述唱片上对准磁性粒子来表示 所述数据。当从典型HDD读取数据时，当磁阻读取头浮动于高速旋转的唱片上方时， 其中会因感应而发生电阻改变。在实践中，所得的数据信号是模拟信号，所述信号的 波峰及波谷是所述数据模式的磁通反转所引起的结果。然后使用称作部分响应最大似 然(PRML)的数字信号处理技术对所述模拟数据信号取样以确定负责产生所述数据 信号的可能数据模式。

HDD因其机械性质而具有某些缺陷。HDD常因冲击、振动或强磁场而易发生损 坏或过度读取/写入错误。另外，其在便携式电子装置中使用相对较大的电力。

大容量存储装置的另一实例是固态驱动器(SSD)。SSD利用半导体存储器装置来 存储其数据而非将数据存储于旋转媒体上，但其包含使其在其主机系统看来为典型 HDD的接口及形式因数。存储器装置SSD通常为非易失性快闪存储器装置。

快闪存储器装置已发展成用于广泛的电子应用的普遍非易失性存储器源。快闪存 储器装置通常使用允许高存储器密度、高可靠性及低功率消耗的单晶体管存储器单元。 所述单元的阈值电压的改变(通过对电荷存储或陷获层或其它物理现象的编程)确定 每一单元的数据值。快闪存储器及其它非易失性存储器的常见使用包含：个人计算机、 个人数字助理(PDA)、数码相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏、电器、车 辆、无线装置、移动电话及可拆卸存储器模块，且非易失性存储器的使用范围正继续 扩大。

与HDD不同的是，因其固态性质，SDD的操作一般不会受到振动、冲击或磁场 等因素的影响。类似地，由于不用移动部件，SDD具有比HDD较低的功率需求。然 而，与具有相同形式因数的HDD相比，SSD当前具有低得多的存储容量及明显较高 的每位成本。

出于上述原因，且由于所属领域的技术人员在阅读及了解本说明书之后将明了的 下文所述其它原因，此项技术中需要替代的大容量存储器件选项。

发明内容

附图说明

图1是根据本发明实施例的存储器装置的简化框图。

图2是可存在于图1的存储器装置中的实例性NAND存储器阵列的一部分的示意 图。

图3是根据本发明一个实施例的固态大容量存储器系统的框示意图。

图4是对概念性地显示可根据本发明实施例由读取/写入通道自存储器装置接收 的数据信号的波形的描绘。

图5是根据本发明实施例的电子系统的框示意图。

图6是用于本发明存储器装置的编程速率识别及控制方法的一个实施例的流程 图。

图7是用于本发明存储器装置的编程速率识别及控制方法的另一实施例的流程 图。

图8是用于本发明存储器装置的快存储器单元编程识别及控制方法的实施例的流 程图。

图9是具有经附接的偏压电容器的NAND存储器阵列的一部分的一个实施例的示 意图。

图10是用于编程本发明的存储器装置的方法的另一实施例的流程图。

具体实施方式

在以下对本发明实施例的详细说明中，参照形成本发明一部分且其中以图解说明 方式显示可在其中实践本发明的具体实施例的附图。充分详细地描述这些实施例以使 所属领域的技术人员能够实践本发明，且应了解，也可利用其它实施例，且可做出过 程、电或机械改变而不背离本发明的范围。因此，不可将以下详细说明视为限定性说 明。