[发明专利]真空处理装置有效
申请号: | 200880020847.9 | 申请日: | 2008-06-13 |
公开(公告)号: | CN101680090A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 李一成 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/50 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 处理 装置 | ||
1.一种真空处理装置,其包括:
真空处理腔室,其容纳被处理物,使内部成为真空气氛,对所述 被处理物实施规定的处理;和
真空处理装置构成部件,其以闭塞所述真空处理腔室的开口部的 方式设置,并由与所述真空处理腔室的热膨胀率不同的金属材料构成,
所述规定的处理为形成金属膜的成膜处理,
该真空处理装置的特征在于:
在所述真空处理腔室和所述真空处理装置构成部件的抵接部,具 有:
气密地密封该抵接部的金属密封部件;和
嵌合机构,其将所述真空处理装置构成部件限制在所述真空处理 腔室,抑制因热膨胀差而在所述真空处理装置构成部件与所述真空处 理腔室发生错位的情况,
所述嵌合机构形成为,比所述金属密封部件的配置部分更位于所 述真空处理腔室的外侧。
2.如权利要求1所述的真空处理装置,其特征在于:
所述真空处理腔室由铝合金构成,所述真空处理装置构成部件由 不锈钢构成。
3.如权利要求1所述的真空处理装置,其特征在于,包括:
气体供给机构,其向所述真空处理腔室内供给规定的处理气体; 和
等离子体产生机构,其通过高频电力的施加,在所述真空处理腔 室内产生所述处理气体的等离子体。
4.如权利要求3所述的真空处理装置,其特征在于:
所述真空处理装置构成部件是用于向所述真空处理腔室内导入所 述处理气体的气体配管构成部件。
5.如权利要求1所述的真空处理装置,其特征在于:
所述真空处理装置构成部件是用于从所述真空处理腔室内进行排 气的排气部构成部件。
6.如权利要求1所述的真空处理装置,其特征在于:
所述嵌合机构在所述真空处理装置构成部件侧形成有凸部,在所 述真空处理腔室侧形成有凹部。
7.如权利要求1所述的真空处理装置,其特征在于:
所述嵌合机构在所述真空处理装置构成部件侧形成有凹部,在所 述真空处理腔室侧形成有凸部。
8.如权利要求1所述的真空处理装置,其特征在于:
所述金属密封部件由O形环部和C形环部构成。
9.如权利要求1所述的真空处理装置,其特征在于:
所述被处理物被以300℃~900℃的处理温度进行处理。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的