[发明专利]真空处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种在成为真空气氛的真空处理腔室内对被处理物进行规定处理的真空处理装置。 

背景技术

一直以来，在例如半导体装置的制造工序等中，使用在成为真空气氛的真空处理腔室内，对半导体晶片等被处理物加热，进行成膜处理等规定处理的真空处理装置。 

例如，作为上述真空处理装置的1个例子，已知有如下的等离子体处理装置，即，向成为真空气氛的真空处理腔室内导入规定的处理气体，并向该真空处理腔室内导入微波，产生处理气体的等离子体，利用CVD实施成膜处理等(参考专利文献1)。 

上述的微波等离子体处理装置等有利用例如铝合金等金属部件构成真空处理腔室的情况。另一方面，用于向该真空处理腔室内导入处理气体的配管系统等多由不锈钢形成。因此，存在形成由这些不同种类的材料构成的金属部件彼此之间通过真空密封部件抵接的抵接部的情况。 

另外，例如，在进行金属成膜的等离子体处理装置等中，氧、氢等杂质的存在对成膜处理造成坏影响，因此期望使真空处理腔室内成为高真空，例如10^-6Pa数量级的高真空。然而，在形成为这样的高真空的情况下，当使用通常的树脂制的O形环时，来自大气等外部的氧、氢等透过O形环并被导入真空处理腔室内。因此，作为真空密封部件，使用金属制的金属密封部件。 

但是存在以下问题：例如，在上述的铝合金和不锈钢的抵接部等由不同种类的材料构成的金属部件的抵接部使用金属密封部件的情况下，在进行伴随加热的处理等时，由于这些金属部件的热膨胀率的差而使得金属部件彼此的相对位置偏离，因为金属密封部件被这些金属部件摩擦，所以金属密封部件受到损伤，发生真空泄漏。 

专利文献1：日本特开2006-342386公报 

发明内容

本发明是鉴于上述的情况而完成的，其目的在于提供一种真空处理装置，即使在与常温不同的温度范围内使用的情况下，也能够抑制金属密封部件发生损伤，与现有技术相比能够降低发生真空泄漏的可能性。 

本发明的真空处理装置的一个方式，包括：真空处理腔室，其容纳被处理物，使内部成为真空气氛，对上述被处理物实施规定的处理；和真空处理装置构成部件，其以闭塞上述真空处理腔室的开口部的方式设置，并由与上述真空处理腔室的热膨胀率不同的金属材料构成，在上述真空处理腔室和上述真空处理装置构成部件的抵接部具有：气密地密封该抵接部的金属密封部件；和嵌合机构，其将上述真空处理装置构成部件限制在上述真空处理腔室，抑制因热膨胀差而在上述真空处理装置构成部件与上述真空处理腔室发生错位，该嵌合机构形成为，比上述金属密封部件的配置部分更位于上述真空处理腔室的外侧。 

本发明的真空处理装置的一个方式是，在上述真空处理装置中，上述真空处理腔室由铝合金构成，上述真空处理装置构成部件由不锈钢构成。 

本发明的真空处理装置的一个方式是，上述真空处理装置包括：气体供给机构，其向上述真空处理腔室内供给规定的处理气体；和等离子体产生机构，其通过高频电力的施加，在上述真空处理腔室内产生上述处理气体的等离子体。 

本发明的真空处理装置的一个方式是，在上述真空处理装置中，上述真空处理装置构成部件是用于向上述真空处理腔室内导入上述处理气体的气体配管构成部件。 

本发明的真空处理装置的一个方式是，在上述真空处理装置中，上述真空处理装置构成部件是用于从上述真空处理腔室内排气的排气部构成部件。 

本发明的真空处理装置的一个方式是，在上述真空处理装置中，具有加热机构，能够将上述真空处理腔室内设定为高于常温的温度。 

本发明的真空处理装置的一个方式是，在上述真空处理装置中，上述规定的处理为形成金属膜的成膜处理。 

附图说明

图1为表示本发明的一个实施方式的等离子体处理装置的结构的图。 

图2为图1的等离子体处理装置的俯视图。 

图3为放大表示图1的等离子体处理装置的主要部分的结构的纵截面图。 

图4为放大表示图1的等离子体处理装置的主要部分的结构的纵截面图。 

具体实施方式

以下，参照附图，对本发明的实施方式进行详细的说明。