[发明专利]制造电子接口卡的方法和系统以及使用该方法和系统制造的卡有效
申请号: | 200880021562.7 | 申请日: | 2008-04-17 |
公开(公告)号: | CN101816066A | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
发明(设计)人: | 盖伊·沙弗兰 | 申请(专利权)人: | 安翠克创新有限公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 田军锋;魏金霞 |
地址: | 以色列罗*** | 国省代码: | 以色列;IL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 电子 接口卡 方法 系统 以及 使用 | ||
相关申请的引用
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PCT/IL2007/001378,2007年11月8日提交,名称为 “ELECTRONIC INTERFACE APPARATUS AND METHOD AND SYSTEM FOR MANUFACTURING SAME”以及
香港专利申请07104374.1,2007年4月24日提交,名称为 “INTEREACE CARD AND APPARATUS AND PROCESS FOR THE FORMATION THEREOF”。
技术领域
本发明一般地涉及一种也被称为“智能卡”的电子接口卡,更具 体地涉及一种具有接触和/或无接触功能的电子接口卡。
背景技术
认为以下美国专利代表了本领域的当前状态: 7,278,580;7,271,039;7,269,021;7,243,840;7,240,847;7,204,427 以及6,881,605。
发明内容
本发明寻求提供一种改进的电子接口卡以及用于制造该电子接口 卡的方法。
由此根据本发明优选实施方式提供了一种用于制造电子接口卡的 方法,包括:在第一基底上形成至少一个天线线圈,所述天线线圈具 有松散端部;将第二基底放置在所述第一基底上以及所述天线线圈上 方,所述第二基底具有孔隙,所述至少一个天线线圈的所述松散端部 的至少一部分通过所述孔隙露出;将所述松散端部的至少一部分通过 所述孔隙拔出,使得所述松散端部的自由端被定位在远离所述基底的 位置;在芯片模块与位于所述远离所述基底的位置的所述松散端部之 间形成电连接;以及然后将所述芯片模块安装到所述第一基底上。
优选地,所述电子接口卡通过将至少所述第一和第二基底切割成 单个卡而形成,并且其中所述形成天线线圈以及放置第二基底的步骤 在所述切割之前进行。额外地,该方法还包括在所述切割步骤之前将 原图层和覆盖层层压到所述第一和第二基底上。
在本发明的优选实施方式中,该方法还包括在所述切割步骤之前 将所述松散端部的所述自由端结合到可拔出组件。额外地,所述结合 包括将所述松散端部的所述自由端附接到位于所述孔隙中且形成所述 可拔出组件的一部分的至少一个塑料层。额外地,该方法还包括在所 述切割步骤之前在所述至少一个塑料层与所述第一基底之间设置释放 层。
优选地,所述拔出包括对所述原图层及覆盖层以及所述可拔出组 件的周边进行铣削,然后将所述可拔出组件从所述孔隙中移出,所述 移出能够操作用于牵拉所述可拔出组件以及所述松散端部的所述自由 端。额外地,在所述拔出之后,切割所述松散端部,并丢弃所述可拔 出组件。
根据本发明的优选实施方式,在所述拔出之后,在所述孔隙下面 的位置处对所述第一基底进行铣削以限定出凹部。额外地或可替代地, 所述原图层和覆盖层的所述铣削限定出所述孔隙的延长部,并且其中 所述芯片模块安置在所述孔隙中并且安置在所述孔隙的所述延长部 中。可替代地,所述原图层和覆盖层的所述铣削限定出所述孔隙的延 长部,并且其中所述芯片模块安置在所述孔隙中、在所述孔隙的所述 延长部中并且在所述凹部中。
优选地,在所述拔出之前,将所述第一和第二基底一起层压在所 述天线线圈上。额外地或可替代地,在切割之前,将所述第一和第二 基底一起层压在所述天线线圈上。根据本发明的优选实施方式,在所 述拔出之前,将所述第一和第二基底一起层压在所述天线线圈上,此 后将所述原图层和覆盖层与之层压在一起。
根据本发明的优选实施方式,还提供了一种用于制造电子接口卡 的方法,包括:提供电子接口卡前体,所述电子接口卡前体在至少一 个基底上具有多个天线线圈,所述天线线圈每个均具有端部;将所述 电子接口卡前体切割成单个卡;在芯片模块与位于远离所述卡的所述 位置的所述端部之间形成电连接;以及然后通过使用超声头将所述芯 片模块安装到所述卡上。
优选地,所述超声头能够操作用于将所述芯片模块粘结到所述卡 中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造