[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

半导体基体具有含第1导电型杂质的第1半导体区域，和与所述第1半导体区域的顶面相接且为与第1导电型不同的第2导电型的第2半导体区域，

所述半导体基体中具有：

形成有开关元件的元件区域，

从上面看以包围所述元件区域的方式形成的终端区域，

从所述终端区域的所述第2半导体区域的顶面向深度方向形成的沟，

形成在所述沟的侧壁和底面的绝缘膜，和

隔着所述绝缘膜埋入所述沟内侧的第1导电层；

从所述第2半导体区域的顶面到所述沟的底面为止的沟的深度为所述第2半导体区域的厚度的0.9～2.0倍，

从上面看，在所述终端区域中，在沿着从所述元件区域侧向半导体装置的终端侧的方向上，排列有多个分别在与该方向垂直的方向上延伸的所述沟，

相邻的所述沟的间隔，设置成所述终端侧比所述元件区域侧狭窄。

2.一种半导体装置，其特征在于，

在半导体基体中具有一侧的主面和另一侧的主面；

所述半导体基体中具有形成有开关元件的元件区域，和从上面看以包围所述元件区域的方式形成的终端区域；

所述元件区域具有：

含第1导电型的杂质的第1半导体区域，

与所述第1半导体区域的顶面相接、在所述一侧的主面上露出一部分且为与第1导电型不同的第2导电型第2半导体区域，

与所述第2半导体区域的顶面相接、在所述一侧的主面上露出一部分且为第1导电型的第3半导体区域，

从所述一侧的主面贯通所述第2半导体区域和第3半导体区域且底面到达所述第1半导体区域的沟槽，

形成在所述沟槽的侧面和底面的第1绝缘膜， 

埋入所述第1绝缘膜内侧的第1导电层，

与所述第1导电层电连接的控制电极，

与所述第1半导体区域电连接的第1电极，和

与所述第3半导体区域电连接的第3电极；

所述终端区域具有：

从第2半导体区域露出了的顶面向深度方向以包围所述元件区域的方式形成的沟，

形成在所述沟的侧壁和底面的第2绝缘膜，和

隔着所述第2绝缘膜埋入所述沟的内侧的第2导电层；

从所述第2半导体区域的顶面到所述沟的底面为止的沟的深度为所述第2半导体区域的厚度的0.9～2.0倍，

所述第2半导体区域和所述第1半导体区域间的电容为C1，所述沟的所述第1导电层和所述第1半导体区域间的电容为C2，所述沟的两侧壁部的所述第1导电层和所述第2半导体区域间的电容分别为C3、C4，则当集电压为600V时，C1～C4满足C1∶C2∶C3∶C4＝1∶1.5∶79∶79的关系。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，从上面看，在所述终端区域中，在沿着从所述元件区域侧向半导体装置的终端侧的方向上，排列有多个分别在与该方向垂直的方向上延伸的所述沟，

相邻的所述沟的间隔，设置成所述终端侧比所述元件区域侧狭窄。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，从上面看，在所述终端区域中，在沿着从所述元件区域侧向半导体装置的终端侧的方向上，排列有多个分别在与该方向垂直的方向上延伸的所述沟，

所述第2绝缘膜在所述沟的侧面的厚度，设置成所述终端侧比所述元件区域侧厚。

5.根据权利要求1或4所述的半导体装置，其中，相邻的所述沟的间隔比所述沟的深度大。

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，进一步具有：

至少设置在所述元件区域附近的所述终端区域上的层间绝缘膜，

在所述层间绝缘膜上延伸而设置的场板电极。 

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述场板电极与所述第3电极等电位。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述场板电极与所述控制电极等电位。

9.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，具有：

设置在所述终端区域上的层间绝缘膜，

在所述终端区域上隔着所述层间绝缘膜设置的、与所述第2导电层连接的取出电极，

在所述层间绝缘膜上延伸而设置的、与所述取出电极连接的场板电极。