[发明专利]扩展漏极晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种制造扩展漏极晶体管(100)的方法，所述方法包括步骤：

在衬底(101)上形成栅极(103)；

在栅极(103)的第一侧壁(104)上形成第一间隔层(900)；

把扩展漏极(106)注入在衬底(101)中的与栅极(103)的第二侧壁(105)相邻的表面部分上，所述第二侧壁与第一侧壁(104)相对并且由第一间隔层(109)暴露；

去除第一间隔层(900)；

在栅极(103)的第二侧壁(105)上形成第二间隔层(107)；

把源极(108)注入在衬底(101)中的与栅极(103)被第二间隔层(107)暴露的第一侧壁(104)相邻的表面部分上；并且

把漏极(109)注入在衬底(101)中的与第二间隔层(107)相邻的表面部分上。

2.如权利要求1所述的方法，包括步骤：在衬底(101)中形成第一浅槽隔离层(500)和第二浅槽隔离层(500)，其中把源极(108)、扩展漏极(106)和漏极(109)布置在第一浅槽隔离层(500)和第二浅槽隔离层(500)之间。

3.如权利要求1所述的方法，其中在栅极(103)的第一侧壁(104)上形成第一间隔层(900)的步骤包括：

在栅极(103)的第一侧壁(104)和第二侧壁(105)上沉积间隔层材料(802)；

在衬底(101)、栅极(103)和间隔层材料(802)上沉积抗蚀剂(1000)；

去除抗蚀剂(1000)以使得栅极(103)和覆盖栅极(103)第二侧壁(105)的间隔层材料(802)的至少一部分暴露，同时在栅极(103)的第一侧壁(104)上保留抗蚀剂(1000)；以及

对栅极(103)的第二侧壁(105)上暴露出的间隔层材料(900)进行蚀刻。

4.如权利要求1所述的方法，其中在栅极(103)的第二侧壁(105)上形成第二间隔层(107)的步骤包括：

在栅极(103)的第一侧壁(104)和第二侧壁(105)上沉积另外的间隔层材料(107)；

在衬底(101)、栅极(103)和另外的间隔层材料(107)上沉积另外的抗蚀剂(1300)；

去除另外的抗蚀剂(1300)以使得栅极(103)和覆盖栅极(103)的第一侧壁(104)的间隔层材料(107)的至少一部分暴露，同时在栅极(103)的第二侧壁(105)上保留另外的抗蚀剂(1300)；以及

对栅极(103)的第一侧壁(104)上暴露出的间隔层进行蚀刻。

5.如权利要求4所述的方法，还包括：

去除另外抗蚀剂(1300)的剩余部分以使得栅极(103)的第二侧壁(105)上的间隔层材料(107)暴露；

部分地对栅极(103)的第二侧壁(105)上暴露的间隔层材料(107)进行蚀刻，从而调整栅极(103)的第二侧壁(105)上的第二间隔层(107)的宽度。

6.如权利要求1所述的方法，包括在衬底(101)和栅极(103)之间形成栅极绝缘层(110)。

7.如权利要求1所述的方法，包括在栅极(103)和由第一间隔层(900)与第二间隔层(107)组成的组中的至少一个之间形成电绝缘结构(800、801)。

8.如权利要求1所述的方法，其中注入源极(108)的步骤包括：

在衬底(101)中的与栅极(103)的第一侧壁(104)相邻的表面部分上形成轻掺杂源极部分(1800)；

在栅极(103)的第一侧壁(104)上形成第三间隔层(2000)以及

在衬底(101)上的与第三间隔层(2000)相邻的表面部分上形成重掺杂源极部分(2200)。

9.如权利要求1所述的方法，其中注入漏极(109)的步骤包括：

在衬底(101)上的与第二间隔层(107)相邻的表面部分上形成轻掺杂漏极部分(1800)；

在第二间隔层(107)上形成第四间隔层(2000)；以及

在衬底(101)上的与第四间隔层(2000)相邻的表面部分上形成重掺杂漏极部分(2200)。