[发明专利]树脂基底无效

专利信息
申请号: 200880022450.3 申请日: 2008-06-27
公开(公告)号: CN101687389A 公开(公告)日: 2010-03-31
发明(设计)人: 藤长彻志;高木牧子;桥本征典;浅利伸;大山隆治 申请(专利权)人: 株式会社爱发科;宇部兴宇株式会社
主分类号: B32B9/00 分类号: B32B9/00;C23C16/42
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 吴小明
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 树脂 基底
【权利要求书】:

1.一种树脂基底,其包括树脂层和形成在所述树脂层的表面上的表面层,其中

所述表面层是包含作为主要组分的氮化硅并且是通过化学气相沉积而沉积的层,并且

在所述树脂层和所述表面层之间的界面上,其上百分比从80%改变为20%的界面区域具有不大于25nm的厚度,其中在所述表面层中的最大氮浓度和在树脂层中的稳态氮浓度之间的差被当作100%。

2.根据权利要求1所述的树脂基底,其中所述水蒸汽渗透速率为不大于0.1g/m2/天,并且所述表面层的平均表面粗糙度(Ra)为不大于1nm。

3.根据权利要求1或2所述的树脂基底,其中所述树脂层包括聚酰亚胺层。

4.一种用于制备树脂基底的方法,所述方法包括如下步骤:

提供树脂层,以及

通过催化化学气相沉积,在所述树脂层上形成包含作为主要组分的氮化硅的表面层。

5.根据权利要求4所述的用于制备树脂基底的方法,所述方法包括:在形成所述表面层的步骤之前,将所述树脂层干燥的步骤。

6.根据权利要求5所述的用于制备树脂基底的方法,其中在形成所述表面层的步骤中,所述树脂层在减压下干燥,并且在保持所述减压的同时形成所述表面层。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的用于制备树脂基底的方法,其中所述树脂层包含聚酰亚胺层。

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