[发明专利]驱动半导体存储器装置的方法以及半导体存储器装置

权利要求书

1.一种驱动半导体存储器装置的方法，所述半导体存储器装置包括：多个存储器基元，所述存储器基元包括源极、漏极以及处于电浮置状态的浮体，所述存储器基元根据在所述浮体中积累的载流子的数目来存储逻辑数据；连接到所述漏极的多条位线；与所述位线交叉的多条字线；以及读出放大器，所述读出放大器读取在选择的存储器基元中存储的数据，或者所述读出放大器将数据写入到所述选择的存储器基元，所述选择的存储器基元连接到所述多条位线当中的选择的位线并连接到所述多条字线当中的选择的字线，所述方法包括：

在数据写入操作期间执行第一循环，所述第一循环将第一电位施加到与第一选择的存储器基元对应的位线且将第二电位施加到所述选择的字线，以便将第一逻辑数据写入到所述第一选择的存储器基元，所述第一逻辑数据指示出所述载流子的数目大；

在所述数据写入操作期间执行第二循环，所述第二循环将第三电位施加到与所述第一选择的存储器基元当中的由所述位线选择出的第二选择的存储器基元对应的位线且将第四电位施加到所述选择的字线，以便将第二逻辑数据写入到所述第二选择的存储器基元，所述第二逻辑数据指示出所述载流子的数目小，其中，

在所述第一循环中，所述第二电位是以所述源极的电位和所述第一电位的电位为基准而被偏置到与所述载流子的极性相反的极性的电位，以及

在所述第二循环中，所述第四电位是以所述源极的电位和所述第三电位的电位为基准而被偏置到与所述载流子的极性相同的极性的电位。

2.根据权利要求1的驱动半导体存储器装置的方法，其中

在所述第二循环中，将第五电位施加到与除了所述第二选择的存储器基元之外的所述第一选择的存储器基元对应的位线，以及

在所述第二循环中，所述第三电位是以所述源极的电位为基准而被偏置到与所述载流子的极性相反的极性的电位，并且所述第五电位是比所述第三电位更接近所述源极的电位的电位。

3.根据权利要求1的驱动半导体存储器装置的方法，其中：

所述半导体存储器装置还包括板，所述板被设置为被所述多个存储器基元所共用；

在数据保持状态时所述源极的电位、所述位线的电位、所述字线的电位、以及所述板的电位以在数据写入操作和数据读取操作时所述源极的电位为基准而被偏置为与所述载流子的极性相反的极性，以及

在所述数据保持状态时所述源极的电位、所述位线的电位、所述字线的电位、以及所述板的电位当中，所述板的电位是最远离在所述数据写入操作和所述数据读取操作时所述源极的电位的电位，并且所述字线的电位是第二远离在所述数据写入操作和所述数据读取操作时所述源极的电位的电位。

4.一种半导体存储器装置，包括：

支撑衬底；

半导体层，其设置在所述支撑衬底上方；

源极层，其设置在所述半导体层中；

漏极层，其设置在所述半导体层中；

体，其包括第一体部分和第二体部分，所述第一体部分设置在所述源极层与所述漏极层之间的所述半导体层中，所述第二体部分从所述第一体部分沿与所述支撑衬底的表面垂直的方向延伸，所述体处于电浮置状态并积累或发射电荷以存储逻辑数据；

栅极介电膜，其设置在所述第二体部分的侧表面上；以及

栅极电极，其设置在所述栅极介电膜上。

5.根据权利要求4的半导体存储器装置，还包括：

背栅极介电膜，其设置在所述支撑衬底的顶表面与所述半导体层的底表面之间。

6.根据权利要求4的半导体存储器装置，还包括：

背栅极介电膜，其设置在所述第一体部分的侧表面上；

板，其设置为面对所述背栅极介电膜。

7.根据权利要求4的半导体存储器装置，其中

所述第二体部分的所述侧表面不与所述源极层和所述漏极层形成pn结。

8.根据权利要求4的半导体存储器装置，其中

所述第二体部分的两个侧表面通过所述栅极介电膜而面对所述栅极电极，这两个侧表面指向所述栅极电极的延伸方向。