[发明专利]阻止晶体管栅极电极的预非晶化

权利要求书

1.一种阻止晶体管栅极电极的预非晶化的方法，包括下列步骤：

提供衬底(101)；

该衬底(101)具有该晶体管(110)的该栅极电极(105)，该栅极电极 (105)之上设有预非晶化注入阻挡材料(132)；

该衬底(101)具有无该预非晶化注入阻挡材料(132)的该晶体管(110) 的源极/漏极区(112)；以及

使该衬底(101)接受预非晶化注入工艺(135)，以预非晶化该源极/ 漏极区(112)的至少一部分，同时阻挡该栅极电极(105)接受该预非晶化 注入工艺(135)，其中，

该栅极电极(105)是第一晶体管(110)的栅极电极；

该源极/漏极区(112)是第一晶体管(110)的源极/漏极区(112)；

该衬底(101)具有无该预非晶化注入阻挡材料(132)的第二晶体管 (110)的栅极电极(105)；

该衬底(101)具有该第二晶体管(110)的源极/漏极区(112)，该第二 晶体管(110)的该源极/漏极区(112)无该预非晶化注入阻挡材料(132)； 以及

使该衬底(101)接受预非晶化注入(135)的步骤包括下列步骤：使该 衬底(101)接受该预非晶化注入(135)，以将该第一晶体管(110)及该第二 晶体管(110)的该源极/漏极区(112)的至少一部分预非晶化，将该第二 晶体管(110)的该栅极电极(105)的至少一部分预非晶化，且保持该第一 晶体管(110)的该栅极电极(105)不被预非晶化。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括下列步骤：

将掺杂剂(142)注入至少部分地被预非晶化的该源极/漏极区(112) 中；以及

将该源极/漏极区(112)退火。

3.如权利要求2所述的方法，进一步包括下列步骤：

去除该预非晶化注入阻挡材料(132)；以及

在该源极/漏极区(112)及该栅极电极(105)的每一个之上，形成金 属硅化物(114)。

4.如权利要求1所述的方法，进一步包括：在使该衬底(101)接受预非 晶化注入(135)之后，在该栅极电极(105)的侧壁处形成侧壁间隔物 (111)。

5.如权利要求4所述的方法，其中，形成该侧壁间隔物(111)的步骤包 括下列步骤：

在该栅极电极(105)之上，形成侧壁间隔物材料层(139)；以及

执行用来各向异性地蚀刻该侧壁间隔物材料层(139)的各向异性蚀 刻工艺(140)，以提供该侧壁间隔物(111)，其中通过该各向异性蚀刻工 艺(140)去除该预非晶化注入阻挡材料(132)。

6.如权利要求4所述的方法，进一步包括：将掺杂剂(142)注入到该源 极/漏极区(112)中，以及将该侧壁间隔物(111)用来作为掩模，用以产 生该源极/漏极区(112)中的所需的掺杂剂分布(141)。

7.如权利要求4所述的方法，其中，通过中间衬垫(109)将该侧壁间隔 物(111)与该栅极电极(105)及该源极/漏极区分隔。

8.如权利要求4所述的方法，其中，该侧壁间隔物(111)在该栅极电 极(105)之下的通道区(113)中诱发本征应力。

9.如权利要求1所述的方法，进一步包括：在该晶体管(110)之上， 形成应力诱发层(117)，该应力诱发层(117)在该栅极电极(105)之下的通 道区(113)中诱发应力。

10.如权利要求9所述的方法，其中，该应力诱发层(117)是介电接触 层或蚀刻终止层。

11.如权利要求10所述的方法，进一步包括：在形成该应力诱发层(117) 之前，先自该栅极电极(105)去除侧壁间隔物(111)。