[发明专利]真空处理系统及基板搬送方法

权利要求书

1.一种真空处理系统，具备：第一处理部、第二处理部、缓冲室、控制机构，

所述第一处理部具有：

第一处理室，其在相对低的压力下对被处理基板进行真空处理；

第一搬送室，其连接所述第一处理室，内部被调整为适合于所述第一处理室的处理压力的真空度；

搬送机构，其设于所述第一搬送室中，将被处理基板相对于所述第一处理室搬入搬出，

所述第二处理部具有：

第二处理室，其在相对高的压力下对被处理体进行真空处理；

第二搬送室，其连接所述第二处理室，内部被调整为适合于所述第二处理室的处理压力的真空度；

搬送机构，其设于所述第二搬送室中，将被处理基板相对于所述第二处理室搬入搬出，

所述缓冲室隔着门阀设于所述第一搬送室及所述第二搬送室之间，在其内部可以收容被处理基板，并且其内部可以进行压力调整，

所述控制机构如下进行控制：在将被处理基板从所述第一搬送室及所述第二搬送室的任意一方向另一方搬送时，在关闭了所述门阀的状态下，使所述缓冲室的压力适合于所述第一搬送室及所述第二搬送室中的存在被处理基板的一方的压力，打开该存在被处理基板的搬送室和所述缓冲室之间的门阀而使它们之间选择性地连通，将被处理基板搬入到所述缓冲室，关闭所述门阀而将所述缓冲室与所述第一及第二搬送室隔断，在该状态下使所述缓冲室的压力适合于另一方的搬送室的压力，打开所述缓冲室与所述另一方的搬送室之间的门阀而将被处理基板从所述缓冲室向另一方的搬送室搬送。

2.根据权利要求1所述的真空处理系统，其特征在于，所述第一处理室是进行PVD处理的PVD处理室，所述第二处理室是进行CVD处理的CVD处理室。

3.根据权利要求2所述的真空处理系统，其特征在于，所述第二搬送室被保持在比所述第二处理室高的压力。

4.根据权利要求2所述的真空处理系统，其特征在于，所述第一处理室被保持为1×10^-7～1×10^-3Pa的压力，所述第二处理室被保持为1×10¹～1×10³Pa的压力。

5.根据权利要求1所述的真空处理系统，其特征在于，所述缓冲室具有将其中排气的排气机构、向其中导入气体的气体导入机构，可以利用所述排气机构和所述气体导入机构进行调整压力。

6.根据权利要求1所述的真空处理系统，其特征在于，所述第一搬送室具有将其中排气的排气机构，利用该排气机构设为适合于所述第一处理室的压力。

7.根据权利要求1所述的真空处理系统，其特征在于，所述第二搬送室具有将其中排气的排气机构、向其中导入气体的气体导入机构，利用这些排气机构和气体导入机构设为适合于所述处理室的压力。

8.根据权利要求1所述的真空处理系统，其特征在于，还具有其他的缓冲室，其隔着门阀设于所述第一搬送室及所述第二搬送室之间，在其内部可以收容被处理基板，并且其内部可以进行压力调整，所述缓冲室在从所述第一搬送室向所述第二搬送室搬送被处理基板时使用，所述其他的缓冲室在从所述第二搬送室向所述第一搬送室搬送被处理基板时使用。