[发明专利]真空处理系统及基板搬送方法

说明书

技术领域

本发明涉及在可以保持为真空的搬送室中配置处理室而成的真空处理系统及真空处理系统中的基板搬送方法。

背景技术

在半导体器件的制造工序中，在作为被处理基板的半导体晶片(以下简记为晶片)上，为了形成接触结构或布线结构，进行形成多个金属或金属化合物膜的加工。此种成膜处理是在保持为真空的处理室内进行的，然而最近，从处理的有效化的观点、以及抑制氧化或污染物等污染的观点出发，如下的群集工具(cluster tool)型的多腔室系统受到关注，即，将多个处理室与保持为真空的搬送室连结，从而能够利用设于该搬送室中的搬送装置向各处理室搬送晶片(例如日本特开平3-19252号公报)。此种多腔室系统中，由于可以使晶片不暴露于大气中，连续地形成多个膜，因此可以进行极为有效并且污染极少的处理。

但是，近来，半导体器件的成膜处理有利用溅射等PVD(PhysicalVappor Deposition)进行的情况、利用CVD(Chemical VapporDeposition)进行的情况，该情况下，如果可以将进行这些处理的处理室搭载于相同的多腔室系统中，则可以进行有效的处理。但是，它们一般来说所要求的真空度不同，PVD一方要在低压下进行处理。另外，一般来说在进行CVD时会产生污染成分。由此，在单纯地在相同的搬送室中配置CVD处理室和PVD处理室的情况下，CVD处理室的污染成分很容易扩散到PVD处理室中，产生在PVD处理室中形成的膜的污染、PVD处理室自身的污染。

作为防止此种情况的技术，提出过如下的技术，即构成为按照可以控制流量的同时向搬送室导入清扫气体，在将作为处理对象物的晶片向规定的处理室搬送时，使搬送室的压力高于该处理室的压力(日本特开平10-270527号公报)。

但是，在PVD处理和CVD处理中所要求的压力水平一般来说相差10000倍以上，在进行晶片相对于CVD处理室的搬入搬出时需要将搬送室设为更高的压力，因此在专利文献2的技术中，为了进行压力调整要花费时间，从而有生产率降低的问题。

发明内容

本发明的目的在于，提供如下的真空处理系统及基板搬送方法，具有所要求的压力水平相对为高压力水平的处理室和相对为低压力水平的处理室，可以不存在来自其他的处理室的污染，并且不降低生产率地在各处理室中进行处理。

根据本发明的第一观点，提供一种真空处理系统，具备第一处理部、第二处理部、缓冲室、控制机构，上述第一处理部具有：第一处理室，其在相对低的压力下对被处理基板进行真空处理；第一搬送室，其连接上述第一处理室，内部被调整为适合于上述第一处理室的处理压力的真空度；搬送机构，其设于上述第一搬送室中，将被处理基板相对于上述第一处理室搬入搬出，上述第二处理部具有：第二处理室，其在相对高的压力下对被处理体进行真空处理；第二搬送室，其连接上述第二处理室，内部被调整为适合于上述第二处理室的处理压力的真空度；搬送机构，其设于上述第二搬送室中，将被处理基板相对于上述第二处理室搬入搬出，上述缓冲室隔着门阀设于上述第一搬送室及所述第二搬送室之间，在其内部可以收容被处理基板，并且其内部可以进行压力调整，上述控制机构如下所示地进行控制：在将被处理基板从上述第一搬送室及上述第二搬送室的任意一方向另一方搬送时，在关闭了上述门阀的状态下，使上述缓冲室的压力适合于上述第一搬送室及上述第二搬送室中的存在被处理基板的一方的压力，打开该存在被处理基板的搬送室和上述缓冲室之间的门阀而使它们之间选择性地连通，将被处理基板向上述缓冲室搬入，关闭上述门阀而将上述缓冲室与上述第一及第二搬送室隔断，在该状态下使上述缓冲室的压力适合于另一方的搬送室的压力，打开上述缓冲室与上述另一方的搬送室之间的门阀而将被处理基板从上述缓冲室向另一方的搬送室搬送。

在上述第一观点的真空处理系统中，作为上述第一处理室可以应用进行PVD处理的PVD处理室，作为上述第二处理室可以应用进行CVD处理的CVD处理室。该情况下，上述第二搬送室优选保持为比上述第二处理室高的压力。另外，该情况下，可以将上述第一处理室保持为1×10^-7～1×10^-3Pa的压力，将上述第二处理室保持为1×10¹～1×10³Pa的压力。