[发明专利]半导体装置及其制造方法、显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于包括：

源电极和漏电极，设置在基板上；

绝缘隔壁，具有在所述源电极和所述漏电极之间的第一 开口和位于所述源电极的中央部和所述漏电极的中央部的第 二开口，所述第一开口到达所述基板，所述第二开口到达所述 源电极和所述漏电极，并且所述绝缘隔壁设置在所述基板上；

沟道部半导体层，设置在所述第一开口的底部上；

栅极绝缘膜，以覆盖所述第二开口的至少一部分和包括 所述沟道部半导体层的所述第一开口的至少一部分的方式设 置在所述隔壁上；

栅电极，设置在所述栅极绝缘膜上，同时与所述沟道部 半导体层重叠；以及

半导体层，设置在所述隔壁上，

其中，所述栅极绝缘膜也设置在置于所述隔壁上的所述 半导体层上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于 连接孔，在与所述隔壁上的所述半导体层保持绝缘的情 况下到达所述源电极或者所述漏电极，并且设置在所述第二开 口的底部上的所述栅极绝缘膜和所述半导体层中，以及

配线，通过所述连接孔连接至所述源电极或者所述漏电 极，并且设置在所述栅极绝缘膜上。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

层间绝缘膜设置在其上设置有所述栅电极的所述栅极绝 缘膜上，以及

配线，通过设置在所述第二开口内的所述连接孔连接至 所述源电极或者所述漏电极，并且在与所述隔壁上的所述半导 体层保持绝缘的情况下设置在所述层间绝缘膜上。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于

所述栅极绝缘膜包括层叠膜。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于

所述半导体层包括有机材料。

6.一种用于制造半导体装置的方法，其特征在于包括以下步骤：

在基板上形成源电极和漏电极；

以覆盖所述源电极和所述漏电极的方式在所述基板上形 成绝缘膜；

通过以下方式形成由所述绝缘膜所构成的隔壁结构：在 所述源电极和所述漏电极之间的所述绝缘膜中形成第一开口， 所述第一开口到达所述基板，并且在所述源电极的中央部和所 述漏电极的中央部的所述绝缘膜中形成第二开口，所述第二开 口到达所述源电极和所述漏电极；

以与形成在所述隔壁的顶部上的半导体层分离的方式， 在所述第一开口的底部形成由所述半导体层构成的沟道部半 导体层；

以覆盖所述第二开口、包括所述沟道部半导体层的所述 第一开口以及所述隔壁的顶部上的所述半导体层的方式在所 述隔壁上形成栅极绝缘膜；以及

以与所述沟道部半导体层相对的方式在所述栅极绝缘膜 上形成栅电极。

7.一种显示装置，其特征在于包括：

源电极和漏电极，设置在基板上；

绝缘隔壁，具有在所述源电极和所述漏电极之间的第一 开口与位于所述源电极的中央部和所述漏电极的中央部的第 二开口，所述第一开口到达所述基板，所述第二开口到达所述 源电极和所述漏电极，并且所述绝缘隔壁设置在所述基板上；

沟道部半导体层，设置在所述第一开口的底部上；

栅极绝缘膜，以覆盖所述第二开口的至少一部分和包括 所述沟道部半导体层的所述第一开口的至少一部分的方式设 置在所述隔壁上；

栅电极，设置在所述栅极绝缘膜上，同时与所述沟道部 半导体层重叠；

层间绝缘膜，覆盖所述栅极绝缘膜和所述栅电极；以及

半导体层，设置在所述隔壁上，

其中，在与所述隔壁上的所述半导体层保持绝缘的情况 下，通过设置在所述第二开口内的所述连接孔连接至所述源电 极或者所述漏电极的像素电极设置在所述层间绝缘膜上，并且

所述栅极绝缘膜也设置在置于所述隔壁上的所述半导体 层上。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于

所述像素电极包括反射材料。

9.一种用于制造显示装置的方法，其特征在于包括以下步骤：

在基板上形成源电极和漏电极；

以覆盖所述源电极和所述漏电极的方式在所述基板上形 成绝缘膜；

通过以下方式形成由所述绝缘膜所构成的隔壁结构：在 所述源电极和所述漏电极之间形成第一开口，所述第一开口到 达所述基板，此外，在所述源电极的中央部和所述漏电极的中 央部形成第二开口，所述第二开口到达所述源电极和所述漏电 极；

以与形成在所述隔壁的顶部上的半导体层分离的方式， 在所述第一开口的底部上形成由所述半导体层构成的沟道部 半导体层；

以覆盖所述第二开口、包括所述沟道部半导体层的所述 第一开口以及所述隔壁的顶部上的所述半导体层的方式在所 述隔壁上形成栅极绝缘膜；

以与所述沟道部半导体层相对的方式在所述栅极绝缘膜 上形成栅电极；

形成覆盖所述栅极绝缘膜和所述栅电极的层间绝缘膜； 以及

在与所述隔壁上的所述半导体层保持绝缘的情况下，在 所述层间绝缘膜上形成通过设置在所述第二开口内的所述连 接孔连接至所述源电极或者所述漏电极的像素电极。