[发明专利]接合体以及接合方法

权利要求书

1、一种接合体，其特征在于，具有第一粘附体和第二粘附体，

所述第一粘附体包括第一基材和设置于该第一基材上且含有Si骨架和键合于该Si骨架的脱离基的第一接合膜，所述Si骨架具有含硅氧烷(Si-O)键的无规的原子结构，

所述第二粘附体包括第二基材和设置于该第二基材上且与所述第一接合膜相同的第二接合膜，

并且所述接合体中利用下述粘接性接合有所述第一粘附体和所述第二粘附体，所述粘接性是分别对所述第一接合膜的至少一部分区域以及所述第二接合膜的至少一部分区域赋予能量，所述第一接合膜与所述第二接合膜的存在于至少表面附近的所述脱离基从所述Si骨架脱离，从而所述第一接合膜表面的所述区域以及所述第二接合膜的表面的所述区域分别呈现出的粘接性。

2、如权利要求1所述的接合体，其中，

在所述第一接合膜以及所述第二接合膜中的至少一方中，从构成的全体原子中除去H原子后的原子中，Si原子的含有率与O原子的含有率总计为10～90原子％。

3、如权利要求1所述的接合体，其中，

在所述第一接合膜以及所述第二接合膜中的至少一方中，Si原子与O原子的存在比为3∶7～7∶3。

4、如权利要求1所述的接合体，其中，

所述Si骨架的结晶度为45％以下。

5、如权利要求1所述的接合体，其中，

所述第一接合膜与所述第二接合膜中的至少一方含有Si-H键。

6、如权利要求5所述的接合体，其中，

在所述含有Si-H键的接合膜的红外吸收光谱中，以归属于硅氧烷键的峰强度为1时，归属于Si-H键的峰强度为0.001～0.2。

7、如权利要求1所述的接合体，其中，

所述脱离基包含选自由H原子、B原子、C原子、N原子、O原子、P原子、S原子及卤素类原子或以所述各原子键合于所述Si骨架的方式配置的原子团构成的组中的至少1种。

8、如权利要求7所述的接合体，其中，所述脱离基为烷基。

9、如权利要求8所述的接合体，其中，

在含有甲基作为所述脱离基的接合膜的红外吸收光谱中，以归属于硅氧烷键的峰强度为1时，归属于甲基的峰强度为0.05～0.45。

10、如权利要求1所述的接合体，其中，

所述第一接合膜与所述第二接合膜中的至少一方中，至少存在于其膜表面附近的所述脱离基从所述Si骨架脱离后具有活性键。

11、如权利要求10所述的接合体，其中，

所述活性键为未结合键或羟基。

12、如权利要求1所述的接合体，其中，

所述第一接合膜与所述第二接合膜中的至少一方是通过等离子体聚合法形成的。

13、如权利要求12所述的接合体，其中，

所述第一接合膜与所述第二接合膜中的至少一方以聚有机硅氧烷为主要材料而构成。

14、如权利要求13所述的接合体，其中，

所述聚有机硅氧烷以八甲基三硅氧烷的聚合物为主要成分。

15、如权利要求12所述的接合体，其中，

在所述等离子体聚合法中，产生等离子体时的高频输出密度为0.01～100W/cm²。

16、如权利要求1所述的接合体，其中，

所述第一接合膜与所述第二接合膜中的至少一方的平均厚度为1～1000nm。

17、如权利要求1所述的接合体，其中，

所述第一接合膜与所述第二接合膜中的至少一方是不具有流动性的固体状膜。

18、如权利要求1所述的接合体，其中，

所述第一接合膜与所述第二接合膜中的至少一方的折射率为1.35～1.6。

19、如权利要求1所述的接合体，其中，

所述第一基材与所述第二基材中的至少一方呈板状。