[发明专利]分割半导体晶片的方法

权利要求书

1.一种借助等离子体蚀刻处理将半导体晶片分割为多个芯片的方法， 在该半导体晶片的电路形成表面上提供了保护片，所述方法包括步骤：

通过沿着多条垂直的切割线切割分割区域，将该分割区域分割为多个芯 片，其中，在该半导体晶片的圆周中划分的环形区域的内侧，划分该分割区 域；以及

通过沿着与所述垂直的切割线平行而从该半导体晶片的中心延伸的两 条划分线，切割所述环形区域，来将所述环形区域划分为4个独立区域。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：对处于该半导体晶片的 后侧、且位于与所述切割线和划分线相对应的区域之外的区域进行掩蔽，

其中，对被掩蔽的半导体晶片进行等离子体蚀刻处理，以将所述分割区 域分割成多个芯片，并将所述环形区域划分为4个独立区域。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括步骤：

将可连续延伸的维持片附加到该半导体晶片的后侧，其中，所述分割区 域被分割为多个芯片，并且，所述环形区域被划分为4个独立区域；

剥除所述保护片；以及

通过从该半导体晶片的内侧向外侧延伸该维持片，扩大相邻芯片之间的 间隙、以及所述芯片与所述环形区域之间的间隙。

4.一种借助等离子体蚀刻将半导体晶片分割为多个芯片的方法，在该 半导体晶片的电路形成表面上提供了保护片，所述方法包括步骤：

通过沿着多条垂直的切割线切割分割区域，将该分割区域分割为多个芯 片，其中，在该半导体晶片的圆周中划分的环形区域的内侧，划分该分割区 域；以及

通过沿着划分线切割所述环形区域，将所述环形区域划分为多于5个的 独立区域，

其中，所述划分线包括沿着与所述垂直的切割线平行而从该半导体晶片 的中心延伸的至少两条划分线，并且，在沿着所述两条划分线而划分的每个 区域中，包括周长大于该半导体晶片的总周长的1/8的区域。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括步骤：对处于该半导体晶片的 后侧、且位于与所述切割线和划分线相对应的区域之外的区域进行掩蔽，

其中，对被掩蔽的半导体晶片进行等离子体蚀刻处理，以将所述分割区 域分割成多个芯片，并将所述环形区域划分为多于5个独立区域。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括步骤：

将可连续延伸的维护片附加到该半导体晶片的后侧，其中，所述分割区 域被分割为多个芯片，并且，所述环形区域被划分为多于5个独立区域；

剥除所述保护片；以及

通过从该半导体晶片的内侧向外侧延伸该维护片，扩大相邻芯片之间的 间隙、以及所述芯片与所述环形区域之间的间隙。