[发明专利]分割半导体晶片的方法

说明书

技术领域

本发明涉及借助等离子体蚀刻将半导体晶片分割为多个芯片(chip)的 方法。

背景技术

随着半导体晶片变得越来越薄，近来，除了利用例如刀片等的切割工具 将半导体晶片分割成多个芯片的方法(其中可能会在半导体晶片上发生会导 致低生产率的缺陷或裂缝)之外，等离子体蚀刻的方法受到很大的关注。在 这种等离子体蚀刻方法中，其电路形成侧附带有保护片(protective sheet)的 半导体晶片被严密地密封在等离子体处理室中，并通过从该半导体晶片的另 一侧对该半导体晶片进行等离子体蚀刻，将该半导体晶片分割为多个芯片， 该保护片用来防止这些芯片散开，并保护电路(见专利文献1)。

[专利文献1]日本未审查专利申请2005-191039

发明内容

技术问题

在为了将半导体晶片分割为多个芯片而对其进行等离子体蚀刻之后，半 导体晶片不能维持平坦的状态，并且，由于保护片的弯曲或偏斜造成的相邻 芯片之间的接触会导致发生碎裂(缺陷或裂缝)，从而可能导致低生产率。可 以预测，随着由于更窄的蚀刻宽度所造成的相邻芯片之间的间隙变得越来越 小，这个问题会变得愈加严重。

因此，本发明的目的是提供将半导体晶片分割为多个芯片的方法，其能 够防止芯片的碎裂(chipping)。

技术手段

根据本发明的一个方面，提供了借助等离子体蚀刻处理将半导体晶片分 割为多个芯片的方法，在该半导体晶片的电路形成表面上提供了保护片，所 述方法包括步骤：通过沿着多条垂直的切割线切割分割区域，将该分割区域 分割为多个芯片，其中，在该半导体晶片的圆周中划分的环形区域的内侧， 划分该分割区域；以及通过沿着与所述垂直的切割线平行而从该半导体晶片 的中心延伸的两条划分线，切割所述环形区域，来将所述环形区域划分为4 个独立区域。

优选地，该方法还包括步骤：对处于该半导体晶片的后侧、且位于与所 述切割线和划分线相对应的区域之外的区域进行掩蔽(masking)。对被掩蔽 的半导体晶片进行等离子体蚀刻处理，以将所述分割区域分割成多个芯片， 并将所述环形区域划分为4个独立区域。

优选地，该方法还包括步骤：将可连续延伸的维持片(maintenance sheet) 附加到该半导体晶片的后侧，其中，所述分割区域被分割为多个芯片，并且， 所述环形区域被划分为4个独立区域；剥除所述保护片；以及通过从该半导 体晶片的内侧向外侧延伸该维持片，扩大相邻芯片之间的间隙、以及所述芯 片与所述环形区域之间的间隙。

根据本发明的另一方面，提供了一种借助等离子体蚀刻将半导体晶片分 割为多个芯片的方法，在该半导体晶片的电路形成表面上提供了保护片，所 述方法包括步骤：通过沿着多条垂直的切割线切割分割区域，将该分割区域 分割为多个芯片，其中，在该半导体晶片的圆周中划分的环形区域的内侧， 划分该分割区域；以及通过沿着划分线切割所述环形区域，将所述环形区域 划分为多于5个的独立区域。所述划分线包括沿着与所述垂直的切割线平行 而从该半导体晶片的中心延伸的至少两条划分线，并且，在沿着所述两条划 分线而划分的每个区域中，包括周长大于该半导体晶片的总周长的1/8的区 域。

优选地，该方法还包括步骤：对处于该半导体晶片的后侧、且位于与所 述切割线和划分线相对应的区域之外的区域进行掩蔽。对被掩蔽的半导体晶 片进行等离子体蚀刻处理，以将所述分割区域分割成多个芯片，并将所述环 形区域划分为多于5个独立区域。

优选地，该方法还包括步骤：将可连续延伸的维护片附加到该半导体晶 片的后侧，其中，所述分割区域被分割为多个芯片，并且，所述环形区域被 划分为多于5个独立区域；剥除所述保护片；以及通过从该半导体晶片的内 侧向外侧延伸该维护片，扩大相邻芯片之间的间隙、以及所述芯片与所述环 形区域之间的间隙。

有益效果

根据本发明，由于至少该半导体晶片的边缘不被分割，抑制了维护片的 弯曲，所以，减小了由于被分割的芯片之间的接触而产生的碎裂，从而增加 了生产率。

附图说明

图1是根据本发明的实施例的被分割的半导体晶片的平面图；

图2是图1的沿着线A-A取得的截面图；