[发明专利]在晶圆上沉积薄膜的装置与方法以及进行填隙沟渠的方法

权利要求书

1.一种用于沉积薄膜的装置，其特征在于，包括：

反应器；以及

多个基板，配备于所述反应器内的相同空间上，

其中借由当旋转所述多个基板时在时间间隔上将所述多个基板暴露于两个或多个源气体及同时供应的蚀刻气体，来重复所述薄膜的沉积以及对所述已沉积的薄膜的部分蚀刻，以在所述多个基板上形成所述薄膜。

其中所述装置包括：

基板支承板，配备有多个基板装载部，在所述多个基板装载部上装载所述多个基板，并且将所述多个基板装载部可旋转地安装至所述反应器内；以及

气体注入组件，配备于所述反应器中的所述基板支承板上以将气体注入至所述基板支承板上，并且包括径向设置的多个气体注入单元，

其中所述多个气体注入单元包括：至少一个第一源气体注入单元，配置为将第一源气体注入至所述基板支承板上；至少一个第二源气体注入单元，配置为将与所述第一源气体不同的第二源气体注入至所述基板支承板上；至少一个蚀刻气体注入单元，配置为将蚀刻气体注入至所述基板支承板上，其中所述蚀刻气体用于蚀刻借由所述第一源气体和所述第二源气体所沉积的薄膜；以及至少一个冲洗气体注入单元，配置为将用于冲洗所述第一源气体、所述第二源气体及所述蚀刻气体的冲洗气体注入至所述基板支承板上；

其中所述气体注入组件的所述第一源气体注入单元中的一者或至少两者相邻设置并且分组形成第一源气体注入块，所述气体注入组件的所述第二源气体注入单元中的一者或至少两者相邻设置并且分组形成第二源气体注入块，所述气体注入组件的所述蚀刻气体注入单元中的一者或至少两者相邻设置并且分组形成蚀刻气体注入块，所述冲洗气体注入单元中的一者或两者相邻设置并且分组形成冲洗气体注入块。

2.如权利要求1所述的用于沉积薄膜的装置，其特征在于，其中所述多个气体注入单元每一者均包括：

主体，具有气体供应孔，透过所述气体供应孔而供应气体；以及

气体注入板，安装于所述主体中，相对于所述主体的上表面而向下相隔一预定的距离，使得所述气体注入板与所述主体一同形成气体扩散空间，在所述气体扩散空间中使透过所述气体供应孔而供应的所述气体扩散，所述气体注入板具有多个注入孔，所述多个注入孔穿过所述注入板的上表面和下表面，以便向下注入所述气体。 

3.如权利要求1所述的用于沉积薄膜的装置，其特征在于，其中所述冲洗气体注入块分别配备于所述第一源气体注入块和所述第二源气体注入块之间、所述第二源气体注入块和所述蚀刻气体注入块之间及所述蚀刻气体注入块和所述第一源气体注入块之间。

4.如权利要求1所述的用于沉积薄膜的装置，其特征在于，其中所述气体注入组件还包括中央冲洗气体注入单元，其配备于所述气体注入组件的中心部处以将用于冲洗所述第一源气体、所述第二源气体及所述蚀刻气体的冲洗气体供应至所述基板支承板上，

其中所述各气体注入块围绕所述中央冲洗气体注入单元而径向设置着。

5.如权利要求1所述的用于沉积薄膜的装置，其特征在于，还包括等离子体产生单元，可将所述第一源气体、所述第二源气体、所述蚀刻气体及所述冲洗气体中的至少一者变为等离子体。

6.如权利要求5所述的用于沉积薄膜的装置，其特征在于，其中所述等离子体产生单元是能够在所述气体注入单元内产生等离子体的装置。

7.如权利要求5所述的用于沉积薄膜的装置，其特征在于，其中所述等离子体产生单元是能够在所述气体注入组件内的一部分中产生等离子体的装置。

8.如权利要求5所述的用于沉积薄膜的装置，其特征在于，其中所述等离子体产生单元是远程等离子体产生器。

9.一种用于沉积薄膜的方法，其特征在于，包括：

(a1)装载多个基板于基板支承板上，所述基板支承板配备有多个基板装载部并且将所述多个基板装载部可旋转地安装于反应器内；

(a2)旋转所述基板支承板，使得所述多个基板依序暴露于径向设置的第一源气体注入块、冲洗气体注入块、第二源气体注入块、冲洗气体注入块、蚀刻气体注入块及冲洗气体注入块；

(a3)借由将第一源气体、第二源气体、冲洗气体及蚀刻气体透过各所述气体注入块而同时供应至所述基板支承板上来沉积薄膜。