[发明专利]清洗和防腐用组合物及半导体元件或显示元件的制造方法

权利要求书

1.一种清洗和防腐用组合物，其用于具有包含铜的金属布线的半导体元件或显示元件的制造工序，并且由防腐剂成分、和清洗剂成分、和余量的水或水溶性有机溶剂构成，其中，

所述防腐剂成分为选自吡唑、3，5-二甲基吡唑、3，5-吡唑二羧酸一水合物、吡唑-1-甲脒盐酸盐、3-氨基-5-羟基吡唑、1-苯基吡唑、3-氨基-4-苯基吡唑、1，2，4-三唑、4-氨基-3，5-二甲基-1，2，4-三唑、亚氨基二乙酸、羟基乙二胺三乙酸、乙二醇醚二胺四乙酸、羟乙基亚氨基二乙酸、三亚乙基四胺六乙酸、乙二胺二丙酸盐酸盐、二异丙基二硫醚、二丁基二硫醚和二乙基二硫醚所组成的组中的至少一种，

所述清洗剂成分为选自氟化铵、氟化四甲基铵、乙酸铵、乙酸、乙醛酸、草酸、抗坏血酸、1，2-二氨基丙烷和二甲基乙酰胺中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的清洗和防腐用组合物，其中所述防腐剂成分的浓度为0.001～5质量％，所述清洗剂成分的浓度为0.01～90质量％。

3.一种半导体元件或显示元件的制造方法，该制造方法包括以下工序：

布线图案形成工序，在基板上依次形成包含构成导电用布线的铜的导电薄膜和用于布线之间绝缘的层间绝缘膜，在其表面上涂布光致抗蚀剂以形成感光层，对感光层进行选择性曝光和显影处理以形成抗蚀层图案，以该抗蚀层图案作为掩模进行蚀刻处理，然后将抗蚀层灰化并除去，从而形成布线图案；

清洗处理工序，通过清洗处理而除去蚀刻处理后的蚀刻残渣；

加热处理工序，在所述清洗处理后实施加热处理；

防扩散膜形成工序，在通过所述加热处理而露出的布线图案的表面上形成防扩散膜；

其中在所述清洗处理工序的清洗处理中，使用权利要求1所述的清洗和防腐用组合物，

所述加热处理工序的加热处理条件为压力0.001～600Pa、温度100℃～300℃。