[发明专利]有机电致发光装置的制造方法有效
申请号: | 200880100949.1 | 申请日: | 2008-07-18 |
公开(公告)号: | CN101766057A | 公开(公告)日: | 2010-06-30 |
发明(设计)人: | 佐佐木诚;森岛进一;伊藤范人 | 申请(专利权)人: | 住友化学株式会社 |
主分类号: | H05B33/10 | 分类号: | H05B33/10;G09F9/00;G09F9/30;H01L27/32;H01L51/50;H05B33/04 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 朱丹 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 装置 制造 方法 | ||
1.一种有机电致发光装置的制造方法,所述有机电致发光装置是由 有机电致发光元件搭载于支撑基板上,并且所述有机电致发光元件被所 述支撑基板与至少包含第一无机物膜以及第二无机物膜的密封层所围绕 从而与外界隔断而形成的,
所述有机电致发光装置的制造方法包括:
利用对置靶式溅射法,并以覆盖搭载于所述支撑基板上的有机电致 发光元件的露出面的方式来形成所述第一无机物膜的工序;以及
在形成所述第一无机物膜之后,再利用与对置靶式溅射法不同的成 膜方法并以比对置靶式溅射法更快的成膜速度来形成第二无机物膜的工 序,所述第二无机物膜覆盖所述第一无机物膜且由与所述第一无机物膜 相同的材料构成,
所述第一无机物膜以及第二无机物膜为SiN膜、SiO膜或SiON膜中 的任一种单体膜。
2.如权利要求1所述的有机电致发光装置的制造方法,其中,
与所述对置靶式溅射法不同的成膜方法为CVD法或磁控溅射法。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光装置的制造方法,其中,
在形成所述第一无机物膜的工序中,通过对置靶式溅射法形成厚度 至少为50nm的第一无机物膜。
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