[发明专利]有机电致发光装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明是关于一种有机电致发光装置的制造方法。以下，存在将电 致发光(Electro Luminescence)简称为EL的情形。

背景技术

有机EL元件具有如下的构造：在至少其中一方为透明或半透明的一 对电极之间，夹持着包含发光层的有机EL层，该发光层是由有机发光材 料形成的。若在具有此种构造的有机EL元件的一对电极之间施加电压， 则电子自阴极注入至发光层，空穴(hole)自阳极注入至该发光层，该电子 与空穴会在发光层中进行再结合。接着，利用此时产生的能量激发发光 层中的发光材料，从而由发光层来发光。在本说明书中，将在基板上形 成了有机EL元件的装置称为有机EL装置。例如，在平板状的基板上形 成了有机EL元件的有机EL装置，可以用于面状光源、段式(segment)显 示装置以及点阵(dottoatrix)式显示装置等。

若有机EL元件暴露于水蒸气或氧气中则会发生劣化。因此，例如在 玻璃基板等的基板上，依次层叠阳极、包含发光层的有机EL层及阴极而 形成有机EL元件之后，利用由氮化硅等形成的无机钝化膜(inorganic passivation film)以及于无机钝化膜的表面上的由树脂形成的树脂密封膜， 来覆盖整个有机EL元件，由此可防止因有机EL元件与水蒸气接触而引 起的劣化(例如，参照专利文献1)。此处，无机钝化膜是通过等离子体化 学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)法或溅射法(sputtering method)来形成的。

专利文献1：日本专利特开2000-223264号公报

然而，目前存在有用于形成无机钝化膜的各种溅射法，但一般使用 成膜速度快的磁控溅射法(magnetron sputtering method)。如上所述，该磁 控溅射法能够以高成膜速度形成无机钝化膜，但存在如下的问题，即， 由于成膜时的等离子体等的影响，有机EL元件中的发光层会受到损伤 (damage)。另外，目前的用于形成无机钝化膜的等离子体CVD法或热CVD 法等的CVD法，也能够以高成膜速度形成无机钝化膜，但仍存在如下的 问题，即，在成膜时，有机EL元件中的发光层会由于热量及等离子体而 受到损伤。其结果，目前的无机钝化膜的形成方法存在会使发光层的发 光特性劣化的问题。

发明内容

本发明定鉴于上述问题开发而成，目的在于提供一种有机EL装置的 制造方法，该有机EL装置当形成将有机EL元件密封的包含无机物层的 覆盖膜时，能够抑制对有机EL元件造成的损伤。

为了实现上述目的，本发明提供一种采用了下述构成的有机EL装置 的制造方法。

[1]是一种有机电致发光装置的制造方法，所述有机电致发光装置是 由有机电致发光元件搭载于支撑基板上，并且所述有机电致发光元件被 所述支撑基板与至少包含第一无机物膜及第二无机物膜的密封层所围绕 从而与外界隔断而形成的，

所述有机电致发光装置的制造方法包括：

利用对置靶式溅射法，并以覆盖所述搭载于支撑基板上的有机电致 发光元件的露出面的方式来形成所述第一无机物膜的工序；以及

在形成所述第一无机物膜之后，利用与对置靶式溅射法不同的成膜 方法来形成覆盖所述第一无机物膜的第二无机物膜的工序。

[2]如上述[1]所述的有机电致发光装置的制造方法，其中，所述与对 置靶式溅射法不同的成膜方法为CVD法或者磁控溅射法。

[3]是一种有机电致发光装置的制造方法，所述有机电致发光装置是 由有机电致发光元件搭载于支撑基板上，并且所述有机电致发光元件被 所述支撑基板与至少包含第一无机物膜以及第二无机物膜的密封层所围 绕从而与外界隔断而形成的，

所述有机电致发光装置的制造方法包括：

利用对置靶式溅射法，并以覆盖搭载于所述支撑基板上的有机电致 发光元件的露出面的方式来形成所述第一无机物膜的工序；以及

在形成所述第一无机物膜之后，再利用与对置靶式溅射法不同的成 膜方法来形成第二无机物膜的工序，所述第二无机物膜覆盖所述第一无 机物膜且由与所述第一无机物膜相同的材料构成。

[4]如上述[3]所述的有机电致发光装置的制造方法，其中，与所述对 置靶式溅射法不同的成膜方法为CVD法或磁控溅射法。