[发明专利]电子元件及其制造方法

权利要求书

1.一种电子元件，包括一叠层，所述叠层具有至少由一介电层电 性隔离的第一导电层形成的一第一电极和一第二导电层形成 的一第二电极，其中，

所述介电层包括电绝缘材料的夹层，所述电绝缘材料具 有高时变电击穿强度，所述夹层至少部分地被另一层可光图案 化的电绝缘材料覆盖；

其中，所述另一层被设计为由化学试剂来处理，所述夹 层在所述化学试剂中是可溶的。

2.根据权利要求1所述的电子元件，其中，所述夹层在所述化学 试剂中的溶解度小于所述另一层在所述化学试剂中的溶解度。

3.根据权利要求1所述的电子元件，其中，所述夹层包括无机材 料。

4.根据权利要求1所述的电子元件，其中，所述夹层包括一层以 上的有机和/或无机材料。

5.根据权利要求1所述的电子元件，其中，所述另一层包括有机 材料。

6.根据权利要求1所述的电子元件，其中，所述第一导电层或所 述第二导电层中的至少一层包括有机材料。

7.根据权利要求1所述的电子元件，包括薄膜晶体管、电容器、 或堆叠器件的组成部分，所述第一导电层与所述第二导电层之 间的交叉。

8.根据权利要求1所述的电子元件，其中，所述夹层至少为20nm 厚。

9.根据权利要求1所述的电子元件，其中，所述夹层和所述另一 层形成双层，而所述夹层设置在衬底和所述另一层之间。

10.一种制造电子元件的方法，包括以下步骤：

在衬底上形成第一导电层，所述第一导电层包括所述电 子元件的第一电极；

在所述第一导电层上沉积介电材料的夹层，所述介电材 料具有高时变电击穿强度，所述介电材料包括电绝缘材料；

在所述介电材料的夹层上沉积另一层介电材料，所述另 一层介电材料包括可光图案化的电绝缘材料；

将所述另一层和所述夹层两者均结构化，其中，所述另 一层介电材料用作所述夹层的掩膜；

形成第二导电层，所述第二导电层包括所述电子元件的 第二电极，其中所述介电材料的夹层将所述第一电极以及第二 电极电性隔离；

其中，通过利用显影所述另一层的步骤和随后的溶解所 述夹层的步骤的结合来执行所述结构化。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述的结构部分地浸 入到溶液中期间，执行所述的显影步骤或所述的溶解步骤中的 一个步骤或两个步骤，在所述显影和/或溶解步骤中，溶液曝 光被基本限制到被设计为要被处理的区域。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，通过利用显影所述另一 层的步骤和随后的湿蚀刻所述夹层的步骤的结合来执行所述 结构化。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，在所述的结构部分地浸 入到溶液中期间，执行所述的显影步骤或所述的湿蚀刻步骤中 的一个步骤或两个步骤，在所述显影和/或湿蚀刻步骤中，溶 液曝光被基本限制到被没计为要被处理的区域。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，通过利用显影所述另一 层的步骤和随后的干蚀刻所述夹层的步骤的结合来执行所述 结构化。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，在干蚀刻期间或之后将 包含氟的气体引入到蚀刻腔体中，以产生介电叠层的较低的能 量表面。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，在干蚀刻期间或之后将 包含氮的气体引入到蚀刻腔体中，以降低在所述干蚀刻步骤中 产生的氧化表面组。

17.根据权利要求10至16中的任一项所述的方法，其中，在同一 处理步骤中结构化所述夹层和所述另一层。

18.根据权利要求10所述的方法，其中，所述绝缘体材料包括有 机材料，所述绝缘体材料的所述夹层是由气相沉积的。

19.根据权利要求10所述的方法，其中，所述绝缘体材料的所述 夹层是被聚合的。