[发明专利]为了改善制法边界的双曝光半导体制法

权利要求书

1.一种用于在一原始材料内形成几何图案的方法，其包括：

将该原始材料的一光阻层的一第一部分曝光在一第一几何图案中；

显影该光阻层，用以在该原始材料内产生该第一几何图案；

调整该光阻层，用以缩小该第一几何图案，同时保持该光阻层的第二部分 不溶解于该调整；

将该光阻层的第二部分曝光在一第二几何图案中；

显影该光阻层，用以在该原始材料内产生该第二几何图案；

刻蚀该原始材料，用以将该等第一几何图案和第二几何图案转印至该原始 材料的一多晶硅层；以及

其中，该第二几何图案的产生方式于将该光阻层的该第二部分曝光在该第 二几何图案中之后并不需要调整该光阻层，

其中，该第一几何图案定义多晶硅互连结构，该多晶硅层互连结构接触由 该第二几何图案所定义的多晶硅接触壳层，其中，该多晶硅互连结构具有比未 经调整的该多晶硅接触壳层的宽度还小的宽度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，曝光该光阻层的该等第一部分和 第二部份包括在该等第一几何图案和第二几何图案所定义的图案中将该光阻 层曝光在一紫外光放射线中。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，曝光该光阻层的该等第一部分和 第二部份进一步包括基于绕射在该光阻层的已曝光部分和该光阻层的未曝光 部分之间改变该紫外光放射线的光学相位。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，调整该光阻层包括缩小由该第一 几何图案所定义的光阻影像的高度和宽度。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括刻蚀该原始材料的一硬屏 蔽层，用以将该第一几何图案转印至该硬屏蔽层。

6.根据权利要求5所述的方法，其进一步包括刻蚀该原始材料的一多晶 硅层，用以将该第一几何图案转印至该多晶硅层。

7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在该第二几何图案曝光期 间保护该光阻层的该第一部分。

8.一种用以形成一互连结构的方法，其包括：

涂敷一第一层光阻至一原始材料；

将该第一层光阻曝光在紫外光辐射中，用以在该第一层光阻内形成该互连 结构的一第一潜影影像；

显影该第一层光阻，用以将该互连结构的该第一潜影影像转换成该互连结 构的一第一最终影像；

调整该互连结构的该第一最终影像，用以形成一第一经调整最终影像；

移除该第一层光阻；

涂敷一第二层光阻至该原始材料；

将该第二层光阻曝光在紫外光辐射中，用以在该第二层光阻内形成该互连 结构的一第二潜影影像；

显影该第二层光阻，用以将该互连结构的该第二潜影影像转换成该互连结 构的一第二最终影像；以及

将该互连结构的该第一经调整最终影像以及该第二最终影像转印至该原 始材料的一多晶硅层，其并不需要调整该互连结构的该第二最终影像；

其中，该第一经调整最终影像定义用于执行一互连线路的在该多晶硅层中 的第一形状；

其中，通过在该多晶硅层中的该第二最终影像所定义的一第二形状执行一 壳层；

其中，该互连线路接触该壳层并且具有比未经该第一最终影像的调整的该 壳层的宽度还小的宽度；

其中，该壳层包含一比在转移该多晶硅层后的位于该壳层上的一接触的表 面积还要大的表面积。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，曝光该光阻层的该等第一层和第 二层进一步包括基于绕射在该等第一层光阻和第二层光阻的已曝光部分和该 等第一层光阻和第二层光阻的未曝光部分之间改变该紫外光辐射的光学相位。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，转印该第一经调整最终影像包括 刻蚀该原始材料的一硬屏蔽层，用以与该互连结构的该第一最终影像相符。