[发明专利]用于修饰适于半导体制作的表面的组合物和方法

权利要求书

1.一种用于修饰适用于制作半导体器件的晶片表面的工作液体， 所述液体为基本上不含松散磨粒的初始组分的水溶液，所述组分包含：

a.水；

b.至少一种pK_a大于7的pH缓冲剂，其中所述pH缓冲剂包含碱 性pH调节剂和酸性络合剂；以及

c.表面活性剂；

其中所述工作液体表现7至12的pH。

2.根据权利要求1所述的工作液体，其中所述碱性pH调节剂选 自碱金属氢氧化物、碱土金属氢氧化物、氢氧化铵以及它们的混合物。

3.根据权利要求1所述的工作液体，其中所述酸性络合剂包括多 齿酸性络合剂。

4.根据权利要求3所述的工作液体，其中所述多齿酸性络合剂包 括氨基酸或由氨基酸形成的二肽中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的工作液体，其中所述氨基酸选自丙氨酸、 脯氨酸、甘氨酸、组氨酸、赖氨酸、精氨酸、鸟氨酸、半胱氨酸、酪 氨酸、以及它们的组合。

6.根据权利要求1所述的工作液体，其中所述表面活性剂为非离 子表面活性剂。

7.根据权利要求7所述的工作液体，其中所述非离子表面活性剂 选自直链的伯醇乙氧基化物、仲醇乙氧基化物、支链的仲醇乙氧基化 物、辛基酚乙氧基化物、炔属伯醇乙氧基化物、炔属伯二醇乙氧基化 物、烷烃二醇、羟基封端的环氧乙烷-环氧丙烷无规共聚物、氟代脂族 聚合物酯、以及它们的混合物。

8.根据权利要求1所述的工作液体，其中所述酸性络合剂存在的 量按重量计为所述工作液体的0.1％至5％。

9.根据权利要求1所述的工作液体，其中所述碱性pH调节剂存 在的量足以产生10至11的pH，所述酸性络合剂包含按重量计占所述 工作液体2％至4％的量的L-脯氨酸，所述表面活性剂包含按重量计占 所述工作液体0.05％至0.5％的量的乙氧基化醇。

10.一种修饰适于制作半导体器件的晶片表面的方法，包括步骤：

a.提供包括至少第一材料、第二材料和第三材料的晶片，所述第 一材料具有被蚀刻以形成图案的表面，所述第二材料布置在所述第一 材料所述表面的至少一部分上，所述第三材料布置在所述第二材料的 表面的至少一部分上；

b.在存在根据权利要求1所述的工作液体的情况下，使所述晶片 的所述第三材料与固定到研磨制品的多个三维研磨复合物接触，所述 三维研磨复合物包含固定并分散在粘结剂中的大量磨粒；并且

c.在所述第三材料接触所述多个研磨复合物的同时相对地移动所 述晶片，直至所述晶片的暴露表面基本上成平的，并且包含至少一个 暴露的第三材料区域和至少一个暴露的第二材料区域。

11.一种修饰适于制作半导体器件的晶片表面的方法，包括：

a.提供包括至少阻隔材料和介电材料的晶片，所述阻隔材料布置 在所述晶片的至少一部分上，所述介电材料布置在所述阻隔材料的至 少一部分上；

b.在存在根据权利要求1所述的工作液体的情况下，使所述晶片 的所述介电材料与固定到研磨制品的多个三维研磨复合物接触，所述 三维研磨复合物包含固定并分散在粘结剂中的大量磨粒；并且

c.在所述介电材料接触所述多个研磨复合物的同时相对地移动所 述晶片，直至所述晶片的暴露表面基本上成平的，并且包含至少一个 暴露的介电材料区域和至少一个暴露的阻隔材料区域。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述阻隔材料包括氮化硅， 所述介电材料包括氧化硅。