[发明专利]集成电路内码字的安全存储

权利要求书

1.一种集成电路(40)，包括存储码字的多个晶体管(TR21-24)， 所述码字是由所述多个晶体管中的第一晶体管(TR22)与另一晶体管 (TR24)之间迁移率(μ21、μ22)的差异确定的，

其中，所述多个晶体管(TR21-24)被布置为形成具有两个稳定 状态的双稳态电路(41-44)；第一晶体管(TR22)与另一晶体管(TR24) 之间迁移率(μ21、μ22)的差异将所述双稳态电路(41-44)向所述稳定 状态中的一个或另一个偏置，从而确定码字，

所述集成电路的特征在于：提供应力层(CAP)以影响所述多个 晶体管(TR21-24)内的应力，从而控制晶体管的迁移率并由此控制 码字的值，所述应力层(CAP)包括压缩应力层(SLC)和拉伸应力 层(SLT)，所述压缩应力层(SLC)设置第一级别的迁移率，所述拉 伸应力层(SLT)设置第二级别的迁移率。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述多个晶体管包括： 包含所述第一晶体管(TR13；TR22；TR32)在内的串联晶体管第一 分支(TR11、TR12、TR13；TR21、TR22；TR31、TR32)；以及包含 所述另一晶体管(TR16、TR24；TR34)在内的串联晶体管第二分支 (TR14、TR15、TR16；TR23、TR24；TR33、TR34)；其中，所述第 一分支的输出节点(OP1；OP3；OP5)连接至所述第二分支的输入节 点，所述第二分支的输出节点(OP2；OP4；OP6)连接至所述第一分 支的输入节点，从而形成所述双稳态电路。

3.根据权利要求1或2所述的集成电路，包括多个所述双稳态电 路。

4.根据前述任一权利要求所述的集成电路，其中，至少所述第 一晶体管(TR22)具有小于1的宽长比。

5.根据前述任一权利要求所述的集成电路，其中，至少所述第 一晶体管(TR22)位于集成电路的管芯的预定位置，所述预定位置比 管芯的其他区域对受到的物理应力更敏感。

6.根据权利要求5所述的集成电路，其中，所述预定位置是所述 集成电路的管芯的角落或边缘。

7.一种设备，包括前述任一权利要求所述的集成电路(40)以 及用于连接至所述集成电路(40)并读取码字的读取装置，所述读取 装置包括用于驱动所述集成电路(40)以确定码字的驱动器装置。

8.一种读取根据权利要求1所述的集成电路(40)中存储的码字 的方法，该方法包括：驱动所述集成电路以确定码字，所述码字是由 所述集成电路(40)的双稳态电路的第一晶体管和另一晶体管(TR22、 TR24)之间迁移率(μ21、μ22)的差异确定的。