[发明专利]电子部件制造方法和通过该方法制造的电子部件

权利要求书

1.连接器的制造方法，该制造方法是对端子的材料实施表面处理的 方法，包括对材料表面进行的衬底层表面处理工序、和在所述衬底层的 上方进行的含锡材料层表面处理工序，其中，

所述方法具有在设置所述含锡材料层之前设置势垒中间层的工序， 以防止所述材料及所述衬底层的组成成分的原子扩散到所述含锡材料层 中，并抑制所述含锡材料层的表面负载了外力时的外力型晶须的产生； 所述势垒中间层是含有含金材料和/或钯的表面处理层，所述势垒中间层 上，表面处理的沉积量在0.01mg/cm²以上，

其中，作为所述势垒中间层，在含金材料镀覆或含金材料冲击镀时， 至少在所述含锡材料层的界面部分，形成锡和金的金属间化合物层。

2.根据权利要求1所述的连接器的制造方法，其特征在于，所述 锡和金的金属间化合物层是AuSn₂和/或AuSn₄。

3.根据权利要求1所述的连接器的制造方法，其特征在于，所述 势垒中间层上，表面处理的厚度在0.03μm以上。

4.根据权利要求1或2或3所述的连接器的制造方法，其特征在 于，所述势垒中间层按照表面处理的金属粒子在所述衬底层上斑点状 散布的方式设置。

5.根据权利要求1或2或3所述的连接器的制造方法，其特征在 于，所述含金材料是纯金或金基合金。

6.根据权利要求4所述的连接器的制造方法，其特征在于，所述 含金材料是纯金或金基合金。

7.连接器的制造方法，该制造方法是对端子的材料实施表面处理的 方法，包括在材料表面进行的衬底层表面处理工序、和在所述衬底层的 上方进行的含锡材料层表面处理工序，其中，

所述方法具有在设置所述含锡材料层之前设置势垒中间层的工序， 所述势垒中间层是含有易于和锡原子产生稳定化合物的物质的表面处理 层，通过使锡原子与所述物质产生化合物来防止锡原子在所述衬底层和 所述含锡材料层的界面扩散，来抑制所述含锡材料层的表面负载了外力 时的外力型晶须的产生；所述势垒中间层是含有含金材料和/或钯的表面 处理层，所述势垒中间层上，表面处理的沉积量在0.01mg/cm²以上，

其中，作为所述势垒中间层，在含金材料镀覆或含金材料冲击镀时， 至少在所述含锡材料层的界面部分，形成锡和金的金属间化合物层。

8.根据权利要求7所述的连接器的制造方法，其特征在于，所述 锡和金的金属间化合物层是AuSn₂和/或AuSn₄。

9.根据权利要求7所述的连接器的制造方法，其特征在于，所述势 垒中间层上，表面处理的厚度在0.03μm以上。

10.根据权利要求7或8或9所述的连接器的制造方法，其特征在于， 所述势垒中间层按照表面处理的金属粒子在所述衬底层上斑点状散布的 方式设置。

11.根据权利要求7或8或9所述的连接器的制造方法，其特征在 于，所述含金材料是纯金或金基合金。

12.根据权利要求10所述的连接器的制造方法，其特征在于，所 述含金材料是纯金或金基合金。

13.一种连接器，在使用金属端子的连接器中，在所述端子的表面， 首先进行衬底层表面处理，其次设置表面处理的沉积量为0.01mg/cm²以 上的势垒中间层，最后设置含锡材料层，防止所述端子材料及所述衬底 层的组成成分的原子向所述含锡材料层扩散及锡原子在所述衬底层和所 述含锡材料层的界面上扩散，从而抑制所述含锡材料层的表面上负载了 外力时的外力型晶须的产生，

其中，作为所述势垒中间层，在含金材料镀覆或含金材料冲击镀时， 至少在所述含锡材料层的界面部分，形成锡和金的金属间化合物层。