[发明专利]基板处理设备无效
申请号: | 200880104374.0 | 申请日: | 2008-08-28 |
公开(公告)号: | CN101785094A | 公开(公告)日: | 2010-07-21 |
发明(设计)人: | 佐藤贡;金子重夫;中山雅之 | 申请(专利权)人: | 佳能安内华股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;C23C14/56;H01L21/205 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 设备 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体用基板处理设备等中的单晶圆(single-wafer)装载锁定型基板处理设备。
背景技术
传统地,专利文献1和2公开了单晶圆基板处理设备的构造示例。在这些专利文献所示的基板处理设备中,多个处理室经由闸式阀被连接到传送室的周围,所述传送室具有布置在其中的基板传送机器手(robot),而用于将基板传送到传送室或者从传送室传送基板的两个装载锁定室分别经由闸式阀被连接到传送室的周围。装载锁定室是用于将基板逐个导入传送室或者从传送室逐个回收基板的室。在专利文献1和2所示的装载锁定室中,布置有能够收容多个基板的盒。这里,在每一次当一个基板被导入或回收时不破坏室的内部的真空的情况下,可以重复基板的输入/输出,直到盒的内部变空或变满。
专利文献1:日本特开2000-195920号公报
专利文献2:日本特开平08-46013号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而,当如上所述构造基板处理设备时,由于需要确保能够收容多个基板的空间,因此,装载锁定室的容量被迫增大到一定程度。因此,如果一旦在更换盒时真空被破坏,则需要时间将装载锁定室真空排气到需要的压力,从而导致生产能力减小。因此,本发明的目的是提供一种可以通过高效的基板传送实现较高的生产能力的基板处理设备、基板制造方法和程序。
用于解决问题的方案
为了实现上述目的,本发明的基板处理设备是包括多个装载端口和多个卸载端口的单晶圆基板处理设备,其中,由基板传送机器手使基板在装载端口、卸载端口与基板传送室之间传送,该基板处理设备还包括控制部,在传送基板时,该控制部将各装载端口和各卸载端口中的相邻的装载端口和卸载端口识别为一对端口,并且该控制部控制基板传送机器手,以将基板传送到该对端口以及从该对端口传送基板。
发明的效果
根据本发明,可以通过高效的基板传送来实现高的生产能力。
附图说明
图1是本发明的基板处理设备的示意性俯视图。
图2是本发明的基板处理设备的控制方框图。
图3是本发明的实施方式中的晶圆流程图。
图4是本发明的实施方式中的流程图。
图5是作为用于说明自动装卸器(autoloader)侧的操作的晶圆流程图的图5A和图5B的合成图。
图5A是用于说明自动装卸器侧的操作的晶圆流程图的前半部分的图。
图5B是用于说明自动装卸器侧的操作的晶圆流程图的后半部分的图。
图6A是当基板传送机器手相对于装载端口导入基板或相对于卸载端口回收基板时的流程图。
图6B是当自动装卸器机器手相对于装载端口导入基板或相对于卸载端口回收基板时的流程图。
附图标记说明
3基板传送室
5基板
6装载端口
6A装载端口A
6B装载端口B
7卸载端口
7A卸载端口A
7B卸载端口B
A、B端口
P处理室
Tr基板传送机器手
具体实施方式
下面,将参照附图说明本发明的实施方式。
第一实施方式
图1是示出本实施方式的半导体用单晶圆基板处理设备中的基板传送设备的构造示例的示意图。
通过溅射为基板涂覆金属膜的本实施方式的半导体用基板处理设备是单晶圆装载锁定型。
在这种设备中,安装有中央包含基板传送机器手Tr的基板传送室3,并且在基板传送室3的周围安装通过溅射为基板涂覆金属膜的多个处理室P。注意,取决于将制造的装置而可以安装任意数量的处理室,此外,处理室的类型不受限制,诸如CVD沉积用处理室、溅射沉积用处理室、脱气用处理室、以及蚀刻用处理室等。基板传送机器手Tr包括能够移动到期望的三维位置的臂、以及能够保持基板的末端执行器(end effector)。从而,基板传送机器手Tr能够将基板逐个供给到各处理室P中以及从各处理室P逐个回收基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造