[发明专利]有机电子设备、有机电子设备的制造方法、有机电子设备的制造装置、基板处理系统、保护膜的构造体以及存储有制造程序的存储介质

权利要求书

1.一种有机电子设备的制造方法，其中，

在被处理体上形成有机元件，

以与所述有机元件邻接并覆盖所述有机元件的方式层积含有碳成分但 不包含氮成分的应力缓和层，来作为用于保护所述有机元件的保护膜中的 一个，并且

在所述应力缓和层上层积含有氮成分的密封层，来作为用于保护所述 有机元件的保护膜中的另一个，

作为所述密封层而层积的膜包括第一氮化硅膜，该第一氮化硅膜是通 过微波的功率激发包含硅烷气体和氮气的气体来生成等离子体并利用所生 成的等离子体而形成的，

作为所述密封层而层积的膜包括第二氮化硅膜，该第二氮化硅膜是在 形成所述第一氮化硅膜之后，通过在停止供应硅烷气体的状态下利用氮气 使所述第一氮化硅膜的表层附近氮化来形成的。

2.如权利要求1所示的有机电子设备的制造方法，其中，

通过重复执行硅烷气体供应的停止和硅烷气体供应的重启，连续进行 所述第一氮化硅膜的成膜以及通过所述第一氮化硅膜的改性的所述第二氮 化硅膜的形成。

3.如权利要求1所示的有机电子设备的制造方法，其中，

通过控制硅烷气体供应的停止定时以及硅烷气体供应的重启定时，将 所述第二氮化硅膜相对于所述第一氮化硅膜的膜厚比控制为1/2～1/3。

4.如权利要求1所示的有机电子设备的制造方法，其中，

所述应力缓和层为非晶碳氢膜，

并且，使用具有径向线缝隙天线的等离子体处理装置来形成所述非晶 碳氢膜、所述第一氮化硅膜以及第二氮化硅膜。

5.如权利要求1所示的有机电子设备的制造方法，其中，

在层积所述应力缓和层的期间或者层积所述密封层的期间中的至少任 一个期间施加偏置电压。

6.一种有机电子设备的制造装置，其中，

该有机电子设备的制造装置

在被处理体上形成有机元件，

以与所述有机元件邻接并覆盖所述有机元件的方式层积含有碳成分但 不包含氮成分的应力缓和层，来作为用于保护所述有机元件的保护膜中的 一个，并且

在所述应力缓和层上层积含有氮成分的密封层，来作为用于保护所述 有机元件的保护膜中的另一个，

其中，所述密封层包括氮化硅膜，该氮化硅膜的表层被进一步氮化 了，

所述有机电子设备的制造装置包括控制部，所述控制部进行控制，使 得在形成密封层时，供应硅烷气体或二硅烷气体，并供应氮气或氨气，施 加偏置电压，或者，不施加偏置电压，从而层积氮密度不同的密封层。

7.一种基板处理系统，其中，包括沉积装置、第一微波等离子体处理 装置以及第二微波等离子体处理装置的基板处理装置被配置成群集构造， 并且在将被处理体被运入至被运出为止的所述被处理体所移动的空间保持 在期望的减压状态下制造有机电子设备，

所述基板处理系统

在所述沉积装置的处理舱中形成有机元件，

在所述第一微波等离子体处理装置的处理舱中，通过微波的功率激发 包含丁炔气体的气体来生成等离子体，并利用所生成的等离子体以与所述 有机元件邻接并覆盖所述有机元件的方式形成非晶碳氢膜，

在所述第二微波等离子体处理装置的处理舱中，通过微波的功率激发 包含硅烷气体和氮气的气体来生成等离子体，并利用所生成的等离子体在 所述非晶碳氢膜上形成第一氮化硅膜，

对所述第一氮化硅膜进行进一步氮化，

所述基板处理系统包括控制部，所述控制部进行控制，使得在形成第 一氮化硅膜，对所述第一氮化硅膜进行进一步氮化时，供应硅烷气体或二 硅烷气体，并供应氮气或氨气，施加偏置电压，或者，不施加偏置电压， 以使氮密度不同。

8.如权利要求7所述的基板处理系统，其中，

所述第一微波等离子体处理装置和所述第二微波等离子体处理装置是 具有径向线缝隙天线的等离子体处理装置。

9.如权利要求7所述的基板处理系统，其中，

所述有机元件是在沉积舱中连续形成了多层有机层的有机EL元件。