[发明专利]有机电子设备、有机电子设备的制造方法、有机电子设备的制造装置、基板处理系统、保护膜的构造体以及存储有制造程序的存储介质

说明书

技术领域

本发明涉及有机电子设备、有机电子设备的制造方法、有机电子设备 的制造装置、基板处理系统、保护膜的构造体、以及存储有制造程序的存 储介质，特别是涉及保护有机元件的膜的构造体以及使用了该保护膜的有 机电子设备的制造方法。

背景技术

近年来，利用了有机电致发光(EL：ELectroluminescence)元件的有 机EL显示器受到关注，其中有机电致发光元件使用有机化合物来发光。 有机EL元件由于具有自发光、反应速度快、消耗电力低等特点，因此不 需要背光(backlight)，能够应用于例如便携式设备的显示部等中。

有机EL元件形成在玻璃基板上，并具有将有机层夹在阳极层和阴极 层之间的构造，其中的有机层耐水、抗氧能力弱，一旦混入水分和氧气， 特性就会发生改变而产生非发光点(dark spot，暗斑)，成为缩短有机EL 元件的寿命的一个原因。因此，在有机电子设备的制造中密封有机元件以 使得外部的水分和氧气不渗透到设备内是非常重要的。

因此，作为保护有机层使其免受外部的湿气和氧气等的影响的方法， 以往提出了利用金属罐等密封罐的方法(例如，参照非专利文件1)。据 此，通过在有机EL元件上贴上密封罐并在密封罐的内部安装干燥剂来密 封并干燥有机EL元件，由此防止水分混入有机EL元件中。

另外，考虑薄型化，还提出了代替密封罐而利用致密的薄膜来密封有 机元件的方法(例如，参照专利文件2)。该保护膜除被要求具有耐透湿 性和抗氧化性之外，还被要求成膜温度低、膜应力低、并能够充分保护元 件本身免受物理冲击等等。尤其如果进行高温处理，则有机元件会在处理 过程中受到损伤。因此，作为保护膜受到关注的是通过CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积成膜法)可在100℃以下的低温下成膜的 氮化硅(SiN)膜。

氮化硅膜虽然是致密旦密封性好的膜，但膜的张力大。如果张力大， 膜就会受到呈碗状翘曲的方向上的应力，从而保护膜脱落，或者有机元件 和保护膜之间的界面附近受到损伤。

因此，也提出了通过将密度低的膜和密度高的膜层迭而成的多层构造 的保护膜来密封有机EL元件的方法(例如，参照专利文件3)。据此， 主要利用密度高的膜进行密封，利用密度低的膜缓和应力，防止保护膜的 龟裂或脱落的发生。

非专利文件1：吉澤  達矢“有機EL フイルムデイスプレイの開発” 繊維学会誌、Vol.59、No.12，pp.P_407-P_411(2003)；

专利文献2：日本专利公开公报2003-282237号；

专利文献3：日本专利公开公报2003-282243号。

发明内容

然而，有机元件是非常精密的部件，其特性容易受周围环境的影响， 并且由于分多层形成，因此尤其各层的界面上的机械强度弱。由此，就算 通过密封性质好的膜和缓和应力的性质好的膜分多层形成保护膜，也由于 保护膜整体的密封性和应力缓和性之间的平衡性不好，有机设备内的某层 界面上会被施加局部大的力，或者根据保护膜的组成，有时保护膜影响有 机元件并改变有机元件的特性。

因此，为了解决上述问题，本发明提供一种在缓和应力的同时保持高 的密封能力、且不改变有机元件特性的有机电子设备的保护膜。

即，为了解决上述问题，根据本发明的一个方面，提供一种有机电子 设备，其包括：形成在被处理体上的有机元件；以及覆盖所述有机元件的 保护膜，其中，所述保护膜包括：应力缓和层，该应力缓和层以与所述有 机元件邻接并覆盖所述有机元件的方式被层积，并含有碳成分但不包含氮 成分；以及密封层，该密封层被层积在所述应力缓和层上，并含有氮成 分。

在上述的构成中，保护膜构成为具有应力缓和层和密封层的层次构 造，应力缓和层被设置成与有机元件紧贴并覆盖有机元件，并且密封层被 设置在应力缓和层上。由此，由于应力缓和层含有碳成分，因此应力比密 封层小。因此，通过利用应力缓和层缓和密封层的应力，能够防止对有机 元件施加过大的压力。由此，能够防止应力缓和层和有机元件之间的界面 受压而导致有机元件的界面附近发生破坏或保护膜发生脱落。