[发明专利]电子器件的制造方法无效
申请号: | 200880106579.2 | 申请日: | 2008-09-05 |
公开(公告)号: | CN101802987A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 大见忠弘;藤村诚;小池匡;番场昭典;小林章洋;绵贯耕平 | 申请(专利权)人: | 国立大学法人东北大学;宇部兴产株式会社;宇部日东化成株式会社 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;G02F1/1368;H01L21/28;H01L21/306;H01L21/3205;H01L29/786 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子器件 制造 方法 | ||
1.一种电子器件的制造方法,所述电子器件具有:
基板、
在该基板上形成的透明树脂膜、和
选择性地埋设于该透明树脂膜中的金属膜,其特征在于,
所述制造方法包括:
工序1,在所述透明树脂膜上形成多孔质涂布膜;
工序2,在所述多孔质涂布膜上形成无孔质涂布膜;
工序3,在所述透明树脂膜、所述多孔质涂布膜及所述无孔质涂布膜 上选择性地形成槽;
工序4,通过溅射,在包括所述槽内和所述无孔质涂布膜上的整个面 上形成金属膜;和
工序5,通过蚀刻所述多孔质涂布膜及所述无孔质涂布膜双方,剥离 所述无孔质涂布膜上的金属膜,获得所述金属膜埋设于所述槽的构造。
2.根据权利要求1所述的电子器件的制造方法,其特征在于:
所述涂布膜包括含有Si、Ti、Al、Zr的氧化物中的一种或两种以上的 多孔质涂布膜。
3.根据权利要求1所述的电子器件的制造方法,其特征在于:
所述涂布膜,包括由((CH3)nSiO2-n/2)x(SiO2)1-x表示的组合物中的一种或 是两种以上,n=1~3,x≤1。
4.根据权利要求1所述的电子器件的制造方法,其特征在于:
在所述涂布膜和所述透明树脂膜上选择性地形成槽的工序,包括:
在所述涂布膜上设置光抗蚀剂膜的工序,
通过曝光、显影而选择性地去除所述光抗蚀剂膜后形成指定图形的工 序,和
以该指定图形的光抗蚀剂膜作为掩模,将所述涂布膜选择性地蚀刻去 除的工序。
5.根据权利要求4所述的电子器件的制造方法,其特征在于:
在所述涂布膜和所述透明树脂膜上选择性地形成槽的工序,进一步包 括,以所述指定图形的光抗蚀剂膜和选择性地蚀刻去除后剩余的涂布膜中 的至少一个作为掩模,将所述透明树脂膜选择性地蚀刻去除的工序。
6.根据权利要求4所述的电子器件的制造方法,其特征在于:
以所述指定图形的光抗蚀剂膜作为掩模将所述涂布膜选择性地蚀刻 去除的工序,包括利用腐蚀性气体的干法蚀刻工序。
7.根据权利要求5所述的电子器件的制造方法,其特征在于:
在所述涂布膜和所述透明树脂膜上选择性地形成槽的工序,进一步包 括以所述指定图形的光抗蚀剂膜和选择性地蚀刻去除后剩余的涂布膜的 至少一个作为掩模、利用所述腐蚀性气体的干法蚀刻,将所述透明树脂膜 选择性地蚀刻去除的工序。
8.根据权利要求6所述的电子器件的制造方法,其特征在于:
所述腐蚀性气体,包括CxFy气体。
9.根据权利要求8所述的电子器件的制造方法,其特征在于:
所述腐蚀性气体,包括CF4气体。
10.根据权利要求8所述的电子器件的制造方法,其特征在于:
所述腐蚀性气体包括C5F8气体和O2气体。
11.根据权利要求1~10中的任意一项所述的电子器件的制造方法,其 特征在于:
进一步包括:在形成所述金属膜的工序之后且在所述涂布膜蚀刻去除 之前,去除所述涂布膜的所述槽的侧壁上附着的金属膜的工序。
12.根据权利要求1~10中的任意一项所述的电子器件的制造方法,其 特征在于:
通过蚀刻去除所述涂布膜,剥离所述涂布膜上的金属膜,获得所述金 属膜埋设于所述槽的构造的工序,包括利用包括氢氟酸的蚀刻液将所述涂 布膜蚀刻去除的工序。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国立大学法人东北大学;宇部兴产株式会社;宇部日东化成株式会社,未经国立大学法人东北大学;宇部兴产株式会社;宇部日东化成株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造