[发明专利]电子器件的制造方法

权利要求书

1.一种电子器件的制造方法，所述电子器件具有：

基板、

在该基板上形成的透明树脂膜、和

选择性地埋设于该透明树脂膜中的金属膜，其特征在于，

所述制造方法包括：

工序1，在所述透明树脂膜上形成多孔质涂布膜；

工序2，在所述多孔质涂布膜上形成无孔质涂布膜；

工序3，在所述透明树脂膜、所述多孔质涂布膜及所述无孔质涂布膜 上选择性地形成槽；

工序4，通过溅射，在包括所述槽内和所述无孔质涂布膜上的整个面 上形成金属膜；和

工序5，通过蚀刻所述多孔质涂布膜及所述无孔质涂布膜双方，剥离 所述无孔质涂布膜上的金属膜，获得所述金属膜埋设于所述槽的构造。

2.根据权利要求1所述的电子器件的制造方法，其特征在于：

所述涂布膜包括含有Si、Ti、Al、Zr的氧化物中的一种或两种以上的 多孔质涂布膜。

3.根据权利要求1所述的电子器件的制造方法，其特征在于：

所述涂布膜，包括由((CH₃)_nSiO_2-n/2)_x(SiO₂)_1-x表示的组合物中的一种或 是两种以上，n＝1～3，x≤1。

4.根据权利要求1所述的电子器件的制造方法，其特征在于：

在所述涂布膜和所述透明树脂膜上选择性地形成槽的工序，包括：

在所述涂布膜上设置光抗蚀剂膜的工序，

通过曝光、显影而选择性地去除所述光抗蚀剂膜后形成指定图形的工 序，和

以该指定图形的光抗蚀剂膜作为掩模，将所述涂布膜选择性地蚀刻去 除的工序。

5.根据权利要求4所述的电子器件的制造方法，其特征在于：

在所述涂布膜和所述透明树脂膜上选择性地形成槽的工序，进一步包 括，以所述指定图形的光抗蚀剂膜和选择性地蚀刻去除后剩余的涂布膜中 的至少一个作为掩模，将所述透明树脂膜选择性地蚀刻去除的工序。

6.根据权利要求4所述的电子器件的制造方法，其特征在于：

以所述指定图形的光抗蚀剂膜作为掩模将所述涂布膜选择性地蚀刻 去除的工序，包括利用腐蚀性气体的干法蚀刻工序。

7.根据权利要求5所述的电子器件的制造方法，其特征在于：

在所述涂布膜和所述透明树脂膜上选择性地形成槽的工序，进一步包 括以所述指定图形的光抗蚀剂膜和选择性地蚀刻去除后剩余的涂布膜的 至少一个作为掩模、利用所述腐蚀性气体的干法蚀刻，将所述透明树脂膜 选择性地蚀刻去除的工序。

8.根据权利要求6所述的电子器件的制造方法，其特征在于：

所述腐蚀性气体，包括C_xF_y气体。

9.根据权利要求8所述的电子器件的制造方法，其特征在于：

所述腐蚀性气体，包括CF₄气体。

10.根据权利要求8所述的电子器件的制造方法，其特征在于：

所述腐蚀性气体包括C₅F₈气体和O₂气体。

11.根据权利要求1～10中的任意一项所述的电子器件的制造方法，其 特征在于：

进一步包括：在形成所述金属膜的工序之后且在所述涂布膜蚀刻去除 之前，去除所述涂布膜的所述槽的侧壁上附着的金属膜的工序。

12.根据权利要求1～10中的任意一项所述的电子器件的制造方法，其 特征在于：

通过蚀刻去除所述涂布膜，剥离所述涂布膜上的金属膜，获得所述金 属膜埋设于所述槽的构造的工序，包括利用包括氢氟酸的蚀刻液将所述涂 布膜蚀刻去除的工序。