[发明专利]电子器件的制造方法无效
申请号: | 200880106579.2 | 申请日: | 2008-09-05 |
公开(公告)号: | CN101802987A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 大见忠弘;藤村诚;小池匡;番场昭典;小林章洋;绵贯耕平 | 申请(专利权)人: | 国立大学法人东北大学;宇部兴产株式会社;宇部日东化成株式会社 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;G02F1/1368;H01L21/28;H01L21/306;H01L21/3205;H01L29/786 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子器件 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及包括薄膜晶体管(TFT)等的电子器件及其制造方法,进 一步涉及采用TFT的显示器件(有机EL器件、无机EL器件、液晶显示 器件等)、电路板、其它电子器件及其制造方法。
背景技术
一般来说,液晶显示器件、有机EL器件、无机EL器件等显示器件, 在具有平坦主面的基板上,具有成膜的、图形化的布线图形、电极图形等 导电图形。进一步地,在基板上也配置构成显示器件的元件所必需的各种 膜和电极膜等。
近年来,对于这类显示器件,大型化的要求在加强。为形成大型的显 示器件,需要将更多的显示元件以高精度形成在基板上,并将这些元件与 布线图形电连接。这样的情况下,基板上除布线图形以外,绝缘膜、TFT (薄膜晶体管)、发光元件等以多层化的状态而形成。其结果是,基板上 普遍有着阶梯状的级差,布线图形越过这些级差而布线。
布线有级差的情况下,布线宽度需要增大。布线宽度增大的情况下, 会产生由布线寄生电容而使驱动负荷增大的缺陷。由此,就希望能消除这 些级差。
进一步地,显示器件大型化时,由于布线图形自身变长,就需要将该 布线图形的电阻降低。作为消除布线图形的级差和低电阻化的方法,在专 利文献1,特愿2005-173050号(称作相关文献1)和专利文献2中提出。 这些专利文献中,公开了为形成如液晶显示器件的平面显示器件用的布 线,在透明的基板表面形成布线和与之相同高度的透明绝缘材料,并使透 明绝缘材料与布线图形相接。
其中,专利文献1中,作为布线形成的方法,提出了采用如喷墨法、 丝网印刷法等。另外,相关文献1中还公开了栅极等的导电性金属层由铜 等化学镀而形成的方法,专利文献2中公开了由热压、化学机械抛光 (CMP)等而使得布线更为平坦化的方法。
进一步地,特愿2006-313492号(以下称作相关文献2)公开了一种 在基板上形成设有槽的绝缘层,使与绝缘层表面大致平齐地在槽中采用化 学镀设置栅极后,在该栅极上设置栅绝缘膜和半导体层的TFT及其制造方 法。另外,专利文献3中,栅极由铜等化学镀形成的同时,栅绝缘膜的一 部分,由将绝缘性涂布膜旋转涂布而形成。根据这样的构造,由旋转涂布 而形成的绝缘性涂布膜,由于能确保表面极度平坦,就能获取平坦性优异 的TFT等电子器件。
专利文献1:WO2004/110117号
专利文献2:JP特开2005-210081号公报
专利文献3:JP特开2007-43131号公报
如专利文献1所述,由喷墨法或是丝网印刷法而形成布线的情况下, 布线表面变得粗糙,布线上形成的绝缘层等的平坦性会变得恶化。另外, 如相关文献1和2所述,使用化学镀的情况下,对于实用水准的显示器件 的大型化无法适应。也就是说,玻璃基板达到3m见方左右的超大型化的 情况下,为将超大型化的玻璃基板化学镀,至少需要那样大的电镀设备(镀 槽)。然而作为现实问题,由于不存在可将超大型化的玻璃基板电镀的那 样大的电镀设备,则使用电镀设备,将超大型玻璃基板电镀是不可能的。 另外,将那样的超大面积均匀地化学镀,实际上是困难的。进一步地,化 学镀难以控制,会频发在金镀层(金めつき)之上的镍镀层(ニツケルめ つき)中,出现圆形的未镀区域的问题。另外,由化学镀形成导电性图形 的情况下,为提高贴紧性,还需要设置作为镀层底子的底层。
进一步地,如专利文献2所述,使用热压、化学机械抛光(CMP)等, 将超大型玻璃基板上的布线在很大的面积上均匀地平坦化,是极为困难 的,并且从经济上考虑其实用也很困难。
发明内容
这样,本发明的目的之一,是提供具有在超大型基板上均匀形成的导 电性图形的电子器件及其制造方法。
本发明的另一目的,是提供一种不用CMP等就能制造、从而提供低 价且大型的显示器件。
本发明的再一目的,是提供平坦性优异、漏电流小的半导体器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造